"AO3419A-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。该器件的主要特性包括:开启电压Vth约为-0.81V,漏源电压VDS的最大值为-20V,连续漏电流ID在VGS = -4.5V时为-4A,且在不同温度下的额定值有所不同。RDS(ON)在VGS = 4.5V时为57mΩ,随着VGS降低,RDS(ON)略有增加。此外,该MOSFET具有低栅极电荷(Qg)为10nC,以及特定条件下的热特性。"
AO3419A-VB MOSFET是一款适用于低压、大电流应用的半导体开关元件。其P-Channel沟道设计意味着在门极电压低于阈值(Vth)时,设备将处于关闭状态,允许电流从源极到漏极流动。阈值电压Vth为-0.81V,意味着当门极相对于源极的电压小于这个值时,MOSFET将打开,允许电流通过。
该器件的漏源电压VDS最大可承受-20V,这意味着在源极和漏极之间可以施加的最高电压为20伏特,超过这个值可能会损坏MOSFET。同时,连续漏电流ID在VGS = -4.5V时为-4A,表示在正常工作条件下,MOSFET可以安全地处理的最大电流。然而,这个值在不同温度下有所变化,例如在TJ = 150°C时,ID会下降。
RDS(ON)是MOSFET导通时的漏源电阻,它直接影响到MOSFET在导通状态下的功率损失。在VGS = 4.5V时,RDS(ON)为57mΩ,这意味着在满载电流下,MOSFET内部的压降相对较低,这有助于提高效率。而栅极电荷Qg为10nC,这是一个衡量开关速度的指标,低Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。
在热特性方面,MOSFET的结温范围为-55°C到150°C,允许其在各种环境温度下工作。最大结壳热阻RthJC(结到脚的热阻)为40-50°C/W,表示每瓦功率损耗会导致器件温度上升40-50°C。最大结温到环境的热阻RthJA在5s脉冲条件下通常为75-100°C/W,这是评估器件散热能力的重要指标。
AO3419A-VB MOSFET因其小型封装(SOT23)、低RDS(ON)、低栅极电荷和良好的热性能,适用于需要高效、快速开关的电路设计,如电源管理、负载开关和逻辑电平转换等应用。同时,其无卤素的设计也符合了环保的要求。