800-1100K氧化铜生长下红铜T2正常光谱发射率建模与实验研究

本文是一篇技术论文，编号为TP2884，标题为《800-1,100 K温度下红铜T2在氧化物生长过程中的正常光谱发射率建模》。作者Deheng Shi、Fenghui Zou、Zunlue Zhu和Jinfeng Sun的研究专注于模拟在氧化物生长过程中，红铜T2材料在800至1100开尔文（K）范围内的正常光谱发射率行为。实验的核心是在一个持续6小时的加热周期内，对16个不同的恒定温度进行研究。 研究中，使用了InGaAs光电二极管作为探测器，其在1.5微米波长下测量样品的正常辐射，确保测量尽可能精确。为了确定样品表面的实际温度，研究人员采用两个对称且紧密焊接在样品前端表面附近的铂铑热电偶，通过对它们的温度读数取平均值来获取数据。值得注意的是，正常光谱发射率在每个恒温阶段的初始加热期间表现出强烈的振荡，这与样品表面氧化层的增长密切相关。 论文深入探讨了这种振荡现象，其可能源于样品表面氧化层发出的辐射与基片辐射之间的干涉效应。研究者通过分析模型，详细研究了正常光谱发射率的变化以及加热时间的影响，模型中采用了简单的函数形式，包括指数函数和对数函数，以高效地复制这些变化。论文还提供了关于由表面氧化作用引起的正常光谱发射率不确定度的估计，约为3.3%至10.0%，同时讨论了温度不确定性，大约在3.2K至10.0K之间。 该研究对于理解高温下红铜T2的光学性质及其在氧化环境中的行为具有重要意义，对于材料科学家和工程师来说，提供了有关如何控制和预测此类材料在工业应用中的性能的重要参考。