GV2301-VB:SOT23封装高性能P-Channel MOSFET
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更新于2024-08-03
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"GV2301-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOS管,适用于低电压、中等电流的应用。该器件具有低的导通电阻(RDS(ON)),高耐压能力以及快速开关特性。"
GV2301-VB是一款由VBSEM公司制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其封装形式为小巧的SOT23,适合在表面贴装技术中使用。这种MOSFET的主要特性包括:
1. **P-Channel设计**:这意味着在栅极与源极之间加正电压时,晶体管将关闭,允许电流从漏极流向源极;反之,当栅极与源极之间为零或负电压时,MOSFET导通,电流可以从源极流向漏极。
2. **耐压能力**:GV2301-VB的最大漏源电压(VDS)为-20V,这意味着它可以承受高达20V的电压差,而不会损坏。
3. **电流能力**:该器件的最大连续漏极电流(ID)在环境温度为25°C时为-4A,但在高温环境下如70°C时,这一值会下降。
4. **低导通电阻**:在VGS = 4.5V时,RDS(ON)为57毫欧,这表明当MOSFET处于导通状态时,它对电流流动的阻力较小,能有效地进行电源管理并降低功耗。
5. **阈值电压**(Vth):-0.81V,这个值决定了使MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。
6. **栅极电荷**(Qg):10nC,这是衡量MOSFET开关速度的一个参数,较小的Qg意味着更快的开关速度和更低的动态功率损耗。
7. **热特性**:最大结温(TJ)为150°C,最大结壳热阻(RthJC)为40-50°C/W,最大结-大气热阻(RthJA)为75-100°C/W,这些参数对于了解器件在高功率应用中的散热性能至关重要。
8. **脉冲电流能力**:短暂脉冲下,漏极电流可以达到-10A,但必须注意不超过最大功率耗散限制。
9. **安全操作区**(SOA):根据提供的数据,GV2301-VB在不同温度和电流条件下有明确的安全工作范围。
这款MOSFET适用于低电压电源切换、逻辑电路、负载驱动以及需要高效能和小型化封装的其他电子设备中。由于其低RDS(ON),它在电池供电的设备或要求低功耗的场合中特别有用。同时,其小尺寸的封装使得它成为空间有限的设计的理想选择。
2024-03-20 上传
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