GV2305-VB:SOT23封装P-Channel MOSFET,低RDS(on)与高电流能力
"GV2305-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOS管,适用于低电压、低电阻的应用场景。该MOS管具有以下关键参数:最大漏源电压VDS为-20V,最大连续漏极电流ID在25°C时为-4A,门极阈值电压Vth为-0.81V,且在不同VGS电压下的RDS(ON)分别为4.5V时为57mΩ,12V时同样较低。此外,其栅极电荷Qg典型值为10nC,确保快速开关性能。MOSFET的工作结温范围为-55至150°C,封装类型为TO-236(SOT-23),具有良好的热特性。" GV2305-VB是一款由VBsemi公司生产的P-Channel MOSFET,它的主要特点是其小巧的SOT23封装,这使得它非常适合在空间有限的电路设计中使用。P-Channel表示其导通时,门极电压(VG)比源极电压(VS)低,因此在未加电压时,MOSFET处于截止状态,适合用于高边开关应用。 该器件的关键参数包括: 1. **漏源电压VDS**:-20V,表示MOSFET能够承受的最大电压差,即漏极到源极间的电压。 2. **连续漏极电流ID**:在25°C下,最大ID为-4A,意味着这是MOSFET在正常工作条件下能通过的最大电流。 3. **门极阈值电压Vth**:-0.81V,这个值决定了MOSFET开始导通所需的最小门极电压。 4. **RDS(ON)**:这是MOSFET导通时的漏源电阻,对于低电阻应用非常重要。在4.5V的门极电压下,RDS(ON)为57mΩ,表明其在低电压下仍能保持低阻抗。 5. **栅极电荷Qg**:10nC,这是门极完全开启MOSFET所需的电荷量,较低的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。 MOSFET的绝对最大额定值包括: - **栅源电压GS**:±12V,超过这个范围可能会损坏MOSFET。 - **脉冲漏极电流DM**:-10A,短时间内的峰值电流。 - **连续源漏二极管电流IS**:-2A,允许的最大反向电流。 - **最大功率耗散PD**:在25°C时为2.5W,在70°C时为1.6W,这限制了MOSFET可以安全散发的热量。 此外,MOSFET的热特性也很关键,例如: - **最大结壳热阻RthJC**:在稳态下为40至50°C/W,表示结温到外壳的热阻,影响散热效率。 - **最大结温TJ**:-55至150°C,超出这个范围可能会导致器件损坏。 该MOSFET的主要优点包括低RDS(ON),快速开关性能以及紧凑的封装,使其成为电池管理、电源开关、负载开关等应用的理想选择。同时,由于其无卤素的特性,也符合绿色环保的设计要求。
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