HY64UD16162M-DF70E：1Mx16bit低功耗伪SRAM规格书

"HYNIX HY64UD16162M-DF70E.pdf 是一份关于Hynix Semiconductor公司的1Mx16位低功耗1T/1C伪静态RAM(Pseudo SRAM)的产品规格说明书。文档版本为1.7，发布于2002年3月。" 本文档主要介绍了HY64UD16162M系列的低功耗1T/1C伪静态RAM，这是一种结合了静态RAM高速存取特性和动态RAM低功耗优势的存储解决方案。该芯片具备以下关键特性： 1. **1Mx16位结构**：这意味着每个芯片包含1百万个存储单元，每个单元为16位宽，总共提供了1MB（1,048,576字节）的存储容量。 2. **低功耗设计**：该芯片设计重点在于减少电源消耗，适用于对能源效率有高要求的应用场景，如便携式设备或电池供电的系统。 3. **1T/1C技术**：这里的“1T”代表每个存储单元包含一个晶体管，“1C”代表一个电容，这种架构能够在保持低功耗的同时提供比传统动态RAM更快的数据访问速度。 4. **伪静态RAM**：不同于真正的静态RAM，伪静态RAM不需要持续刷新来保持数据，但仍然能提供接近SRAM的快速访问速度，同时具有DRAM的低功耗特性。 文档的修订历史记录显示了产品的不断优化过程，包括： - **引脚连接的变更**：可能涉及I/O引脚布局的调整，以适应不同应用需求。 - **tOE时间的改善**：tOE（输出 enable time）从45ns缩短到30ns，意味着数据输出速度的提升。 - **状态图的修正**：确保芯片在各种操作状态下的正确行为。 - **封装尺寸的修改**：可能涉及芯片物理尺寸的微调，以适应更紧凑的电路板布局。 - **绝对最大额定值的更新**：确保在极端条件下芯片的稳定工作。 - **DCE电气特性**：如IDPD（电源掉电信号）和ICC1（静态电流）的改变，表明功耗的进一步降低。 - **电源启动序列和深度休眠模式**：详细说明了芯片从关闭到工作的电源启动步骤，以及进入低功耗模式的流程。 - **读/写周期的注解**：提供了关于读取和写入操作的详细指南，确保正确操作。 - **待机电流ISB1和电源电流ICC2的改进**：随着时间的推移，这些电流值的进一步优化提升了芯片的节能性能。 - **工作温度范围的调整**：从C/E（0°C~85°C）变为E/I（-20°C~85°C），扩展了芯片的工作环境温度范围。 这份文档对于设计工程师来说是至关重要的，它提供了详细的技术参数、操作指导和电气特性，帮助他们在电路设计中正确地集成和使用这款Hynix的伪静态RAM芯片。