英飞凌SPA06N80C3高电压功率晶体管技术规格

"SPA06N80C3 是英飞凌科技(INFINEON)推出的一款高电压、高性能的CoolMOS™功率晶体管。这款芯片适用于工业应用，特别是那些需要处理高直流母线电压的场合，如主动钳位前向转换器等开关应用。SPA06N80C3 采用全新的革命性高压技术，具有卓越的性能指标。" SPA06N80C3 的主要特性包括： 1. 新型革命性高压技术：该芯片采用了创新的制造工艺，能够在高电压环境下提供稳定可靠的工作。 2. 极端的dv/dt额定值：能够承受极大的电压变化率，确保在快速开关操作中的稳定性。 3. 高峰值电流能力：设计能够承受高瞬时电流，适合于大功率转换应用。 4. 符合JEDEC标准：该器件已按照JEDEC的规范进行测试和认证，适合目标应用。 5. 无铅镀层，符合RoHS指令：表明该产品不含有铅，并符合欧盟关于有害物质的限制规定。 6. 超低栅极电荷：较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。 7. 超低有效电容：低电容有助于减少存储电荷，提高开关效率。 8. 全隔离封装：2500VAC的隔离等级，确保了操作安全，避免短路风险。 在电气参数方面，SPA06N80C3 在25°C时的最大连续漏电流(ID)为6安培，而在100°C时则降低到3.8安培。脉冲漏电流(ID,pulse)在25°C时可达到18安培。对于单脉冲雪崩能量(EAS)，在ID=1.2A，VDD=50V时为230毫焦耳。重复雪崩能量(EAR)在ID=6A，VDD=50V时具有相应的耐受值。此外，最大栅源电压(VGS)静态时为6伏特，交流频率大于1Hz时为50伏特。功率耗散(Ptot)在25°C时不超过50瓦，操作和储存温度范围为-55°C至150°C。安装扭矩推荐为M2.5螺丝的50牛顿厘米。 关键性能指标之一是最大漏-源电压(VDS)为800伏特，这使得SPA06N80C3 能够处理高压电路。而最大漏-源导通电阻(RDS(on))在25°C时仅为0.2欧姆，这意味着在导通状态下，芯片的内阻非常低，有助于提高效率并减少发热。 总而言之，SPA06N80C3 是一款适用于高电压、大电流工业应用的高效能功率MOSFET，其低栅极电荷、低电容和高耐压特性使其在开关电源、电机驱动和其他需要高速、高效率转换的领域中表现出色。英飞凌的这款芯片结合了技术创新与可靠性，为设计工程师提供了理想的解决方案。