英飞凌CoolMOS™SPP15N60C3芯片中文规格书

"SPP15N60C3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册提供了关于英飞凌（INFINEON）的SPP15N60C3、SPI15N60C3和SPA15N60C3三款CoolMOS™ 功率晶体管的详细技术参数和特性。" 这篇文章将深入探讨这些芯片的关键特点和主要性能指标。 首先，SPP15N60C3、SPI15N60C3和SPA15N60C3都是基于英飞凌的新型高压技术设计的功率晶体管，它们具备超低栅极电荷，能实现高效能的开关操作。其中，VDS@Tjmax的额定值为650V，意味着这些器件在最大结温下可承受的最大漏源电压为650V。而RDS(on)——即静态导通电阻，仅为0.28欧姆，这确保了在工作时的低损耗和高效率。 在电流处理能力方面，这三款芯片的连续漏极电流（ID）在25°C时为15A，而在100°C时为9.4A。此外，脉冲漏极电流（IDpuls）的峰值限制同样为45A，确保了器件在短时间大电流脉冲下的稳定性。单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=7.5A，VDD=50V时为460mJ，这表明了它们具有很好的抗过载能力。 对于重复雪崩能量（EAR），当ID=15A，VDD=50V时，限制值为0.8mJ，这意味着它们能够在不超过最大结温的情况下承受多次雪崩事件。相应的，重复雪崩电流（IAR）也设定为15A，保证了长期运行的可靠性。 在栅极源电压方面，静态的VGS为±20V，而交流电压（f>1Hz）下的VGS可达±30V，这些都反映了芯片对控制信号的宽广适应性。此外，功率耗散（Power Dissipation）在25°C环境温度下的最大值也需要考虑，以确保芯片不会过热。 封装类型包括PG-TO-220-3-31、PG-TO220FPPG-TO262、PG-TO220以及P-TO220-3-31，其中PG-TO220-3-31是完全隔离的封装，可承受2500VAC的隔离电压1分钟，保证了电气安全。订购代码如SPP15N60C3对应的Q67040-S4600，方便用户选择适合的型号。 SPP15N60C3、SPI15N60C3和SPA15N60C3是高性能、高耐压、低损耗的功率器件，适用于需要高效能开关操作和高可靠性的电力电子应用，如电源转换、电机驱动和逆变器等。其优秀的电气特性和封装设计确保了在各种工况下的稳定工作。