英飞凌SPA17N80C3 CoolMOS™功率晶体管技术规格

"SPA17N80C3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌（INFINEON）公司生产的SPA17N80C3芯片，这是一款采用CoolMOS™技术的高压功率晶体管。该芯片在TO220封装中提供了业界最佳的RDS(on)性能，以及超低的门极电荷、极限dv/dt耐受能力、超低有效电容和优化的跨导特性。 1. 技术特点： - 革新的高压技术：SPA17N80C3采用了先进的高压工艺，确保了其在高电压环境下的高效工作。 - 世界最佳RDS(on)：在TO220封装中，其漏源导通电阻（RDS(on)）仅为0.29欧姆，这有助于降低功耗并提高转换效率。 - 超低门极电荷：低门极电荷使得开关速度更快，减少了开关损耗。 - 定期雪崩额定：芯片设计允许周期性地承受雪崩能量，增强了其在过载条件下的稳定性。 - 极限dv/dt耐受能力：芯片可以承受高速开关时的电压变化率，适合高速应用。 - 超低有效电容：降低了开关过程中的电容效应，进一步提高了开关速度。 - 改进的跨导：提高了电流控制响应，使得驱动更加精确。 2. 封装与订购代码： - SPA17N80C3提供两种封装形式：PG-TO220-3-31（全隔离封装，额定2500VAC，持续1分钟）和P-TO220-3-31。 - 订购代码分别为：SPP17N80C3对应PG-TO220封装，而SPA17N80C3对应PG-TO220-3-31封装。 3. 最大额定值： - 持续漏源电流（ID）在25°C和100°C下分别为17A和11A。 - 脉冲漏源电流（IDpuls）限制在51A。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=3.4A，VDD=50V时为670mJ。 - 反复雪崩能量（EAR）在ID=17A，VDD=50V时为0.5mJ。 - 反复雪崩电流（IAR）限制在17A。 - 根据温度，门极源极电压（VGS）的最大值为±20V，交流门极源极电压（VGS）超过1Hz时为±30V。 - 在25°C下，总功率损耗（Ptot）最大为208W，而在100°C时为42W。 4. 运行与存储温度： - 芯片的正常操作和储存温度范围需在指定范围内，以确保其可靠性和寿命。 这款SPA17N80C3芯片广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源以及其他需要高效能、低损耗、高耐压的电力电子设备中。其优秀的电气特性和紧凑的封装设计使其成为工程师在设计高效率、高性能系统时的理想选择。