号,多个 ds18b20s 可以同时存在于一条总线。这使得温度传感器放置在许多不同的地方。
它的用途很多,包括空调环境控制,感测建筑物内温设备或机器,并进行过程监测和控制。
DS18B20 采用一线通信接口。因为一线通信接口,必须在先完成 ROM 设定,否则记忆和控
制功能将无法使用。主要首先提供以下功能命令之一: 1)读 ROM, 2)ROM 匹配, 3
)搜索 ROM, 4)跳过 ROM, 5)报警检查。这些指令操作作用在没有一个器件的 64 位
光刻 ROM 序列号,可以在挂在一线上多个器件选定某一个器件,同时,总线也可以知道总
线上挂有有多少,什么样的设备。
若指令成功地使 DS18B20 完成温度测量,数据存储在 DS18B20 的存储器。一个控制功能指
挥指示 DS18B20 的演出测温。测量结果将被放置在 DS18B20 内存中,并可以让阅读发出记
忆功能的指挥,阅读内容的片上存储器。温度报警触发器 TH 和 TL 都有一字节 EEPROM的
数据。如果 DS18B20 不使用报警检查指令,这些寄存器可作为一般的用户记忆用途。在片
上还载有配置字节以理想的解决温度数字转换。写 TH,TL 指令以及配置字节利用一个记忆
功能的指令完成。通过缓存器读寄存器。所有数据的读,写都是从最低位开始。
6 部件描述编辑
存储器
DS18B20 的存储器包括高速暂存器 RAM 和可电擦除 RAM,可电擦除 RAM 又包括温度触发
器 TH 和 TL,以及一个配置寄存器。存储器能完整的确定一线端口的通讯,数字开始用写
寄存器的命令写进寄存器,接着也可以用读寄存器的命令来确认这些数字。当确认以后就
可以用复制寄存器的命令来将这些数字转移到可电擦除 RAM 中。当修改过寄存器中的数时
这个过程能确保数字的完整性。
高速暂存器 RAM 是由 8 个字节的存储器组成;。用读寄存器的命令能读出第九个字节,这
个字节是对前面的八个字节进行校验。存储器的结构图如图 4.6 所示。
图 4.6存储器的结构图
64-位光刻 ROM
64 位光刻 ROM 的前 8 位是 DS18B20 的自身代码,接下来的 48 位为连续的数字代码,最后
的 8 位是对前 56 位的 CRC 校验。64- 位的 光刻 ROM 又包括 5 个 ROM 的功能命令:读
ROM,匹配 ROM,跳跃 ROM,查找 ROM 和报警查找。64-位光刻 ROM 的结构图如图 4.7 所
示。
图 4.7 为 64-位光刻 ROM 的结构图
外部电源的连接
DS18B20 可以使用外部电源 VDD,也可以使用内部的寄生电源。当 VDD 端口接 3.0V—5.5V
的电压时是使用外部电源;当 VDD 端口接地时使用了内部的寄生电源。无论是内部寄生电
源还是外部供电,I/O 口线要接 5KΩ 左右的上拉电阻。 连接图如图 4.8、图 4.9 所示。
图 4.8使用寄生电源的连接图
图 4.9 外接电源的连接图
4.3.4DS18B20 温度处理过程
配置寄存器
配置寄存器是配置不同的位数来确定温度和数字的转化。配置寄存器的结构图如图 4.10 所
示。
图 4.10配置寄存器的结构图
由图 4.9 可以知道 R1,R0 是温度的决定位,由 R1,R0 的不同组合可以配置为 9 位,10 位,
11 位,12 位的温度显示。这样就可以知道不同的温度转化位所对应的转化时间,四种配置
的分辨率分别为 0.5℃,0.25℃,0.125℃和 0.0625℃,出厂时以配置为 12 位。温度的决定
配置图如图 8 所示。