"HM2310PR-VB是一款N沟道SOT89-3封装的MOSFET,适用于便携式设备的负载开关应用。该器件采用TrenchFET技术,具有卤素免费的环保特性。在设计和使用过程中,需要注意其封装特性和工作条件,以确保可靠性和性能。"
HM2310PR-VB是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOT89-3封装,这种小型封装方式适合于需要节省空间和提高电路密度的应用。其主要特点是采用了TrenchFET技术,这是一种利用沟槽结构来增强MOSFET性能的技术,能提供更低的导通电阻(RDS(on))和更高的开关效率。
产品特性包括:
1. 卤素免费:符合现代环保要求,减少对环境的影响。
2. TrenchFET PowerMOSFET:利用沟槽结构实现更高效的功率处理能力。
在应用方面,HM2310PR-VB特别适合用于便携式设备的负载开关,如手机、平板电脑等,能够有效地控制电源通断并管理电流。
参数规格如下:
- 最大漏源电压(VDS):0V,表示该MOSFET在正常工作时不能承受反向电压。
- 栅源电压(VGS):±20V,这是MOSFET可以承受的最大栅极电压,超过这个值可能会损坏器件。
- 连续漏极电流(ID):随温度变化,最高在25°C下为29A,在70°C下为24A,这表明随着温度升高,允许通过的电流会有所下降。
- 静态电荷(Qg):未提供具体数值,但通常是指MOSFET从关闭到打开状态转换时所需的电荷量,影响开关速度。
- 脉冲漏极电流(IDM)和连续源漏二极管电流(IS):在不同温度下有不同的最大值,用于瞬态和连续工作模式下的电流管理。
- 最大功率耗散(PD):随温度变化,25°C下为4W,70°C下为2W,表明了器件在不同环境温度下的最大功率处理能力。
使用注意事项:
- 对于无引脚的芯片型MOSFET(ChipFET),暴露的铜端是制造过程中的结果,不保证有焊锡珠,但仍能保证底部焊接连接。
- 不推荐使用烙铁进行手动返修焊接,因为无引脚组件对焊接工艺有特殊要求。
HM2310PR-VB是一款高效、环保的N沟道MOSFET,适用于要求紧凑、低功耗的便携式电子设备。在设计电路时,需要充分考虑其规格限制和使用条件,以确保长期稳定运行。