LDMF1GA 1GByte NAND Flash存储器技术规格详解

"LDMF1GA是一款专为高温环境设计的1GByte NAND Flash存储器，适用于石油勘探、航空、航天等领域的应用。这款存储器具有2.7V至3.6V的工作电压范围，采用16PINDIP封装，其结构为X8，即8位数据宽度。存储器单元阵列为1G+32M bitx8bit，数据寄存器为2K+64 bitx8bit。" LDMF1GA的主要特性包括： 1. **电源电压**：支持2.7V到3.6V的宽电压范围，确保在不同环境下的稳定工作。 2. **存储容量**：提供1GByte的存储空间，其中包含一个备用的256M-bit容量。 3. **编程与擦除**：支持页编程，每页大小为2K+64 Byte，编程时间为800μs（典型值）；支持块擦除，每块大小为256K+8K Byte，擦除时间为1.5ms（典型值）。 4. **读取操作**：页读取操作的随机读取速度最快为60μs，串行访问速度最小为30ns。 5. **存储单元密度**：每个存储单元可存储2bit的数据，提高了存储效率。 6. **写周期时间**：具有快速的写周期时间，编程时间为800μs，块擦除时间为1.5ms。 7. **复用输入/输出端口**：命令、地址和数据可以通过I/O引脚复用输入和输出。 8. **数据保护**：在电源电压波动时，自动停止编程和擦除操作，提供硬件级别的数据保护。 9. **可靠性**：具备5000次的编程/擦除耐久性，确保长期使用下的稳定性；数据保存时间长达10年。 10. **封装形式**：采用16PINDIP无铅封装，尺寸为15.5x21.6mm，引脚间距为2.54mm。 该存储器的引脚配置包括I/O0到I/O7，用于数据输入/输出，CLE（Command Latch Enable）和ALE（Address Latch Enable）分别用于锁定命令和地址输入。当芯片未被选中或输出无效时，I/O引脚呈现高阻态，CLE和ALE在特定条件下使能指令和地址的锁存。 LDMF1GA设计用于需要高速、高效、高可靠性的非易失性存储解决方案的系统，如固态文件存储、便携式设备和其他对存储有严格要求的应用。其高温耐受性和强大的数据保护功能使其成为极端环境下工作的理想选择。