AOD478-VB N沟道100V高耐温TO252封装场效应管详解

AOD478-VB是一款N沟道场效应管，采用TrenchFET® PowerMOSFET技术，专为高性能和可靠性设计。这款晶体管具有以下关键特性： 1. **封装类型**: TO252封装，适合于空间受限的应用场合。 2. **电压规格**: 集成的耐压高达100V（ Drain-Source Voltage, VDS），确保了在高压条件下稳定工作。 3. **开关性能**: 在VGS=10V时，其导通电阻（RDS(on)）极低，能够提供高效率的电流传输，典型值为0.1Ω。 4. **温度兼容性**: 设计允许最高结温（Junction Temperature, TJ）达到150°C，满足高温环境下的使用需求。同时，它符合RoHS指令2002/95/EC，确保了环保标准。 5. **安全限制**: 包括连续和脉冲电流限制，如连续 Drain Current (ID) 最大值为13A（在125°C下），以及单脉冲 Avalanche Current (IAS) 和 Energy (EAS) 安全参数。 6. **热管理**: 提供了良好的热阻值，如RthJA（Junction-to-Ambient）典型值为15°C/W，RthJC（Junction-to-Case）为0.85°C/W，保证了在不同工作条件下的散热能力。 **应用领域**： AOD478-VB适合用作初级侧开关，由于其优化的功率管理和高可靠性，它广泛应用于电源转换、电机驱动、电力电子设备以及需要高效率和紧凑封装的工业控制电路中。 **产品概述**： 该晶体管的表面安装版本配备在一个1"x1" FR4板上，用户需参考安全操作区域(SOA)曲线来了解电压降的影响。注意，最大功率消耗在25°C下为96W，并且在不同工作温度范围(-55°C至150°C)内提供了充足的余裕。 AOD478-VB是一款高效能、耐高温的N沟道MOSFET，结合了卓越的开关特性和可靠的热管理，适用于对电力密度要求高的现代电子设备中。在选择和使用时，务必考虑其额定电流和电压限制，以确保系统的稳定性和安全性。