AOD472-VB：20V N沟道TO-252封装MOSFET技术规格

"AOD472-VB是一款N沟道TrenchFET PowerMOSFET，采用TO-252封装。该器件的最大结温为175°C，并且经过100%Rg测试。其主要特性包括低的导通电阻和高耐压能力。" AOD472-VB MOSFET是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，它使用了先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构来优化器件的性能，提供更低的导通电阻和更好的热效率。TrenchFET设计有助于减小芯片尺寸，同时增强开关性能和能效。 该MOSFET的额定漏源电压（VDS）为20V，这意味着在正常工作条件下，源极和漏极之间可以承受的最大电压是20V。其栅源电压（VGS）的最大值为-15V，这是确保器件正常工作的最大栅极电压。在特定条件下，例如当栅极电压为4.5V时，它的导通电阻（rDS(on)）仅为0.0045欧姆，而在栅极电压为2.5V时，rDS(on)为0.006欧姆。这表明AOD472-VB在不同工作条件下具有良好的开关控制和低损耗特性。 在连续工作模式下，当环境温度为25°C时，AOD472-VB允许的最大连续漏电流（ID）为100A，而当环境温度升高到100°C时，这一数值降至80A。此外，该器件还能够承受脉冲漏电流IDM高达200A，以及连续源电流（Diode Conduction）65A，这表明它适用于需要大电流处理的应用。 在散热方面，AOD472-VB的最大功率耗散在25°C环境下为71W，但如果是表面安装在1英寸x1英寸的FR4电路板上，长期工作时的最大功率耗散为8.3W。此外，该器件的结壳热阻（RthJC）典型值为1.75°C/W，而结到环境的热阻（RthJA）的典型值为40°C/W，这些参数对于评估器件在高功率应用中的冷却能力至关重要。 AOD472-VB的工作和存储温度范围非常宽泛，从-55°C到175°C，这使得它能够在各种严苛的环境中稳定工作。制造商提供的数据手册提供了更多详细信息，包括安全操作区、电气特性、封装尺寸以及应用和布局建议等。 AOD472-VB是一款适用于高功率、低损耗应用的N沟道MOSFET，适用于电源管理、电机驱动、开关电源以及其他需要高效能、低电阻开关元件的电路设计。其小巧的TO-252封装和出色的热管理特性使其成为众多电子设备的理想选择。