HAT2028R-VB MOSFET晶体管:双通道60V N-Channel沟道详细参数与应用
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更新于2024-08-03
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"HAT2028R-VB是一款由VB Semi生产的双N沟道60V MOSFET,采用SOP8封装。这款MOSFET具备TrenchFET技术,提供100%的Rg和UIS测试,确保了产品的可靠性和性能。其主要特性包括低RDS(ON),在VGS=10V时为27mΩ,VGS=20V时也有较低的阻抗。阈值电压Vth为1.5V。每个通道的最大连续漏电流ID为7A,适用于需要高效率、低损耗的电路设计。在25°C环境下,最大功率耗散为4W,而125°C时则降低至1.3W。"
HAT2028R-VB是VB Semi公司的双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有60V的额定漏源电压(VDS)和每通道6A的连续漏电流(ID)能力。该器件使用TrenchFET技术,这是一种利用沟槽结构优化MOSFET性能的技术,可以降低导通电阻,提高开关速度,同时减少功耗。TrenchFET设计使得HAT2028R-VB在低电压驱动下能保持较低的RDS(ON),在10V栅极电压下RDS(ON)为27毫欧,进一步降低了工作时的功率损失。
产品规格表显示,当VGS=4.5V时,RDS(ON)的值会有所不同,这表明在更低的栅极电压下,MOSFET仍能保持较好的导通状态,适合在电源管理和其他需要高效能低电压控制的应用中使用。每个通道的最大连续源电流(IS)在结温为25°C时为3.6A,脉冲漏电流(IDM)达到28A,确保了短暂大电流脉冲时的稳定工作。
在热性能方面,HAT2028R-VB的结壳热阻抗(RthJA)为110°C/W,这意味着在环境温度为25°C时,每增加1W的功率耗散,结温将上升110°C。为了确保MOSFET在高温环境下的长期稳定性,需要注意散热设计,尤其是在高功率应用中。
此外,HAT2028R-VB通过了100%的Rg和UIS测试,这表明其在保护电路和防止过电压方面表现出色,增强了整体系统可靠性。该器件的绝对最大额定值还包括±20V的栅源电压(VGS),以及在特定条件下允许的最大脉冲电流和能量,以防止设备因过载或瞬态事件而损坏。
总结起来,HAT2028R-VB是一款适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电源管理、开关电路、电机驱动等应用的MOSFET。其紧凑的SOP8封装和优化的电气特性使其成为各种电子设计中的理想选择。在实际应用中,需考虑热管理和适当的驱动电路,以确保MOSFET的最佳性能和寿命。
2024-04-23 上传
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