32Gb MLC NAND Flash H27UBG8T2BTR-BC Series 技术规格

"该文档是关于Hynix的H27UBG8T2BTR-BC系列32Gb(4096M x 8bit) Legacy MLC NAND闪存的初步产品描述，修订版本为0.7，发布于2011年1月。该系列NAND闪存采用多级单元(MLC)技术，具有x8数据总线宽度，兼容不同密度的引脚输出，并详细介绍了其组织结构、接口特性、电源电压以及关键参数。" Hynix的H27UBG8T2BTR-BC系列NAND闪存是一款基于Legacy MLC技术的存储设备，其存储容量为32Gb，即4096兆字节（Mbyte），每个存储单元可以存储2位数据，以提供更高的存储密度。MLC技术允许每个单元存储比单级单元（SLC）更多的数据，但通常会牺牲一定的读写速度和耐用性。 该NAND闪存的组织结构如下： - 每个页面大小为8K字节，外加640字节的冗余区域（Spare），用于错误校验和管理。 - 每个块（Block）大小为2048K字节加上160K字节的冗余区域。 - 每个平面（Plane）包含1024个块。 - 整个设备由2048个块组成，这意味着有2个独立的平面。 接口方面，H27UBG8T2BTR-BC系列支持： - x8数据总线宽度，意味着它可以在一次操作中传输8位数据。 - 复用地址/数据，减少了引脚数量，提高了封装效率。 - 引脚输出兼容所有密度，便于在不同应用场景中的集成。 电源供电电压设定如下： - VCC 和 VCCQ 电压范围分别为2.7V至3.6V和2.7V至3.6V/1.7V至1.95V。VCCQ电压的两个范围可能与不同的工作模式或低功耗设计有关。 此文档是初步版，可能会有变动，且Hynix不承担使用其中描述的电路所带来的任何责任，且未暗示任何专利许可。修订历史表明，自2010年10月的初始草案以来，该文档经过多次内部更新和修正。 总结来说，H27UBG8T2BTR-BC系列NAND闪存是一款高密度的MLC NAND存储解决方案，适用于需要大容量、成本效益高的存储应用，如嵌入式系统、移动设备和固态硬盘等。其接口设计和电源管理特性使其能够适应多种系统环境，而多级单元技术则提供了较高的存储密度。然而，用户在实际应用时需要考虑MLC NAND的相对较低的耐用性和性能特点。