DTS2315-VB：SOT23封装P-Channel场效应MOS管，-30V高耐压-5.6A

DTS2315-VB是一款由VBSEMIPower提供的SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，它采用TrenchFET®技术，确保了高效率和可靠性。这款器件的主要特性包括： 1. **封装类型**: SOT23封装，这是一种紧凑型设计，适合于小型电路板上的集成，节省空间的同时方便表面安装在1英寸x1英寸FR4基板上。 2. **电压等级**: 它是-30V的耐压等级，能够承受高达-30伏的栅极-源极电压（VGS），并且具有宽泛的栅极电压范围，可工作在±20V。 3. **电流规格**: 在标准条件下（TA=25°C），最大连续漏极电流ID为-5.6A，而当温度升高时，例如在70°C下，这个电流会有所下降。此外，还提供了短脉冲峰值电流（t=100μs）限制为-18A。 4. **导通特性**: 当VGS设置在-10V时，其漏极导通电阻（RDS(ON)）典型值为47毫欧姆（mΩ）。随着VGS电压降低，RDS(ON)也相应增加。 5. **阈值电压（Vth）**: Vth为-1V，这是开启导电通道所需的最小栅极电压。 6. **应用领域**: DTS2315-VB适用于移动计算中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等高功率电子设备。 7. **热性能**: 在25°C下，最大功率耗散为2.5W，但在70°C下，这个值会降低。此外，给出的热阻值有助于评估散热设计的需求。 8. **温度范围**: 设备的工作结温范围为-55°C至150°C，存储温度范围相同，强调了它在极端环境下的稳定性和可靠性。 9. **质量保证**: 产品经过了100%的Rg测试，这意味着所有器件在出厂前都经过了严格的栅极电阻检测。 DTS2315-VB是针对移动设备中对低损耗、高效率和小型化的高性能P-Channel MOSFET解决方案，设计者在选择时应充分考虑其电流能力、电压耐受度以及热管理需求。在实际应用中，务必遵循制造商提供的各项极限条件和注意事项。