SIR462DP-T1-GE3-VB:N沟道MOSFET在电源应用中的分析
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更新于2024-08-03
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"SIR462DP-T1-GE3-VB是一款N沟道30V MOSFET,采用先进的TrenchFET技术,适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等应用。这款MOSFET在25°C时的RDS(on)低至0.007Ω(当VGS为10V),并且通过了100%的Rg和UIS测试,符合RoHS指令2011/65/EU。其最大连续漏源电流ID在不同温度下有所不同,25°C时为90A,70°C时为45A。"
SIR462DP-T1-GE3-VB是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的一种,主要特点在于其采用了TrenchFET技术,这种技术通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构,可以显著减小导通电阻,提高开关性能。该器件的RDS(on)极低,仅为0.007欧姆,这在VGS为10伏特时测得,意味着在导通状态下,器件的内部电阻非常小,能够有效地降低功耗和发热,适合用在需要高效能和低损耗的应用场景。
此外,该MOSFET经过100%的Rg(栅极电阻)和UIS(意外过电压耐受能力)测试,确保了其可靠性和稳定性。它还符合欧盟的RoHS指令,表明它是无铅且符合环保标准的产品。
在应用方面,SIR462DP-T1-GE3-VB常用于OR-ing电路,这是一种并联电源管理技术,可以防止多个电源同时工作。同时,它也适用于服务器和DC/DC转换器,这些领域通常需要高效率和低热耗散的功率元件。
在规格参数上,该MOSFET的最大漏源电压VDS为30伏特,门源电压VGS的范围是±20伏特。在不同温度条件下,连续漏源电流ID有不同的限制,例如在25°C时为90安培,而在70°C时则降至45安培。脉冲漏源电流IDM的最大值为210安培,而单脉冲雪崩能量EAS的最大值为95毫焦耳。
在热特性方面,MOSFET的最大结温TJ和存储温度范围是-55到175°C。在25°C时,最大功率耗散为155瓦,而70°C时则为105瓦。这些参数对于评估MOSFET在实际应用中的散热性能至关重要,因为过高的结温可能导致器件性能下降甚至损坏。
总结来说,SIR462DP-T1-GE3-VB是一款高性能、低RDS(on)、高可靠性且符合环保标准的N沟道MOSFET,适用于需要高效能和低热耗散的电源管理应用,如服务器电源、DC/DC转换器以及OR-ing电路设计。其优秀的电气特性使得它在高功率密度和高效率的系统中表现出色。
2024-01-08 上传
2023-12-26 上传
2024-02-27 上传
2023-09-21 上传
2023-07-27 上传
2023-03-28 上传
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2023-11-10 上传
2024-02-19 上传
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