英飞凌IRF4104功率MOSFET中文规格手册：低阻抗、高耐温

IRF4104是一款由INFINEON(英飞凌)生产的HEXFEThigh-electron-mobility transistor (HEMT) PowerMOSFET，它专为高性能和低损耗应用设计。这款器件采用先进的工艺技术，具有超低的通态电阻(RDS(on))，在40V的耐压下，能够提供高达75A的连续漏极电流(ID)。它的特点是能够在高达175°C的高温环境下工作，支持快速开关操作，并且允许在额定条件下进行重复性雪崩击穿。 IRF4104有三种封装版本：D2Pak、TO-220AB和TO-262，以及PbF、SPbF和LPbF三种材料选项，分别对应不同的环保标准。PbF表示含铅，SPbF和LPbF则表示无铅，反映了对绿色电子的趋势响应。TO-220AB和TO-262封装提供了不同大小的选择，以适应不同的电路板布局需求。 在性能指标方面，IRF4104在25°C时，连续工作下的最大漏极电流可达75A，而在10V的栅源电压(VGS)下，即使在100°C的高温下，仍能保持一定的电流能力。对于脉冲负载，该器件支持的峰值脉冲漏极电流PD@25°C也有明确的限制。功率损耗方面，其线性降额因子表明随着温度升高，功率处理能力会相应降低。 安全特性方面，IRF4104具有单次脉冲雪崩能量限制EAS，这是衡量其在过载条件下的耐受程度，且有测试值EAS(Tested)。此外，它还提供了 avalanche current (IAR) 和 repetitive avalanche energy (EAR) 的参数，以评估其在雪崩击穿情况下的可靠性。 关于温度管理，IRF4104的典型热阻包括junction-to-case (RθJC)和case-to-ambient (RθCS)，前者表示结温与外壳之间的热量传递效率，后者涉及封装内部热量向周围环境的传递。存储和焊接温度，以及安装扭矩的要求，都严格规定了在不同操作条件下的最佳实践。 IRF4104 IRF4104是一款高效、高耐温、低损耗的MOSFET，适用于需要快速开关和高功率密度的工业级应用，如电机控制、电源转换和开关电源等。在选择和使用该器件时，需确保遵循所有规定的极限参数，以确保电路的稳定性和安全性。