ZXMP10A18KTC-VB P沟道MOSFET技术规格与应用

"ZXMP10A18KTC-VB是一款由VBsemi生产的P沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于电源开关和DC/DC转换器等应用。该器件的主要特性包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术，以及100%的Rg和UIS测试。其关键参数如下：在10V栅极电压下，漏源导通电阻（RDS(on)）为188mΩ，而在4.5V栅极电压下，RDS(on)为195mΩ。阈值电压为-1.77V，连续漏极电流在25°C时为-8.8A，在70°C时为-7.1A。器件的最大额定工作电压为100V，最大连续脉冲电流为25A，最大雪崩能量为16.2mJ，最大功率耗散在25°C时为32.1W。此外，结壳热阻RthJA为50°C/W，工作和储存温度范围为-55至150°C。" ZXMP10A18KTC-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计特点显著。首先，它遵循了IEC61249-2-21标准，定义为无卤素材料，这使得它更环保，同时符合RoHS指令2002/95/EC，对环境友好。其次，它采用了TrenchFET技术，这是一种先进的沟槽结构，使得器件拥有更低的导通电阻，从而在开关应用中提供更高的效率。 该MOSFET的RDS(on)低至188mΩ@10V和195mΩ@4.5V，这意味着在相同电压下，它比其他MOSFET在导通状态下的内阻更低，因此在开关操作中能减少能量损失。此外，100V的额定漏源电压VDS确保了器件在高电压环境中工作的可靠性。ID的最大连续值分别为25°C时的-8.8A和70°C时的-7.1A，这表明它能够处理较大的电流负载。 在安全操作区(SOA)曲线中，用户应注意不要超过指定的电压和电流等级，以防止器件损坏。脉冲漏极电流IDM为-25A，意味着它可以短暂承受超过连续电流的峰值。而单次雪崩能量EAS为16.2mJ，说明了该器件在雪崩条件下的耐受能力。 热性能方面，器件的结壳热阻RthJA为50°C/W，这意味着每增加1W的功率，器件的结温将上升50°C。因此，良好的散热设计对于确保器件在高温环境下稳定工作至关重要。最后，工作和储存温度范围宽泛，可适应各种环境条件。 总结起来，ZXMP10A18KTC-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于需要高效开关和低功耗的应用，如电源管理、DC/DC转换器等。其优秀的电气特性和热管理性能使其成为高功率密度电路的理想选择。