RU1HL13L-VB：P沟道100V TrenchFET功率MOSFET

"RU1HL13L-VB是一款P沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO-252封装，适用于电源开关和DC/DC转换器等应用。该器件满足RoHS指令，并经过100%Rg和UIS测试，确保其可靠性和性能。" RU1HL13L-VB场效应管是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种，其主要特性在于它的TrenchFET技术。TrenchFET是一种先进的MOSFET制造工艺，它通过在硅片上挖掘细小的沟槽来增加电荷存储能力，从而实现更低的电阻和更好的开关性能。这种设计使得RU1HL13L-VB在低电压下能保持较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=-10V时，RDS(on)为11.7Ω，而在VGS=-4.5V时，RDS(on)降至15Ω，这有利于在低电压应用中提供高效能。 这款MOSFET的最大drain-source电压（VDS）为-100V，这意味着它可以承受最大100V的反向电压。同时，它能支持在25°C时连续16A的drain电流（ID）和70°C时14A的drain电流。脉冲drain电流（IDM）可达-50A，而雪崩电流（IAS）为-18A，这表明RU1HL13L-VB具备一定的过载能力。 RU1HL13L-VB还具有单次雪崩能量（EAS）16.2mJ的能力，这意味着在特定条件下，它能承受一定量的能量而不被破坏。最大功率耗散（PD）在25°C时为32.1W，但随着环境温度的升高，这个值会相应下降。器件的额定工作和储存温度范围是从-55°C到150°C。 热性能方面，RU1HL13L-VB的结壳热阻（RthJC）表明了从芯片到封装外壳的热传递效率，对于安装在1英寸正方形FR-4材料PCB上的情况，其结到环境的热阻（RthJA）为50°C/W。这意味着每增加1W的功率，结温将上升50°C，这对散热设计至关重要。 总结来说，RU1HL13L-VB是一款高性能、低功耗的P沟道MOSFET，特别适合用于需要高效开关和控制电源流的应用，如电源开关和直流-直流转换器。其TrenchFET技术、严格的测试标准以及良好的热管理能力，确保了在实际电路中的稳定运行和高效能。