高性能SOT23封装P-Channel场效应MOS管CPH3324-TL-E-VB特性与规格

CPH3324-TL-E-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，由VBSEM公司生产。这款器件的特点包括： 1. **封装类型**：SOT23封装，这种小型封装设计适合于空间受限的应用，具有紧凑的尺寸，便于集成。 2. **电压等级**：该MOSFET支持高达-60V的高压隔离，这意味着它在60Hz频率下能提供2.5kVRMS的重复峰值电压隔离，保证了电路的电气安全。 3. **电气性能**： - **导通压降（RDS(ON)）**：在VGS=10V时，RDS(ON)为40mΩ，当VGS升至20V时，这个值可能会有所不同。 - **阈值电压（Vth）**：P-Channel沟道的开启电压为-2V，这表明需要一个负电压才能使MOSFET导通。 - **最大漏极电流（IDM）**：单个脉冲下的最大连续电流为21A，而线性降额系数为每摄氏度0.18W。 - **过载能力**：有单脉冲雪崩能量限制，EAS为120mJ，以及重复雪崩电流IAR和能量EAR的规格。 4. **热性能**： - **工作温度**：能在高达175°C的环境下稳定运行，这确保了设备在高温环境下的可靠性能。 - **热阻**：低热阻设计有助于散热，有助于保持器件在高功率条件下的良好工作状态。 - **散热**：在25°C时，允许的最大功率损耗为27W。 5. **电气安全特性**： - **爬电距离**：从引脚到封装的最小距离为1.6mm，有助于防止静电放电。 - **动态dv/dt评级**：考虑到了瞬态电压变化的响应能力，但具体限制需要参考图11和12中的参数。 6. **环保合规**：产品符合RoHS规范，这意味着它不含有对环境有害的铅和其他限制物质。 7. **产品配置**：单个晶体管结构，G、S、D分别代表栅极、源极和漏极，P-Channel MOSFET类型，适用于单一功能电路设计。 8. **注意事项**： - 重复脉宽限制了最大结温，具体数值需参阅图11。 - 参数如Qg(Max.)、Qgs和Qgd等也提供了关于电荷存储能力的信息。 - 电流和能量参数的限制是在特定条件下给出的，如VDD、VDS、TJ等。 CPH3324-TL-E-VB是一款高性能、高电压、低功耗的P-Channel场效应MOSFET，适用于各种对小型化、高效率和热管理要求严苛的电路设计。在实际应用中，务必根据其规格和限制条件进行适配和操作。