CPH3325-TL-E-VB: SOT23封装低阻值P-Channel场效应MOS管

本文档介绍的是CPH3325-TL-E-VB这款SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。该器件采用Trench FET技术，具有低阻值的漏极-源极电阻（RDS(ON)）和紧凑的封装尺寸，适用于主动钳位电路在DC/DC电源供应系统中的应用。 首先，这款MOSFET的特点包括： 1. **环保特性**：符合IEC 61249-2-21标准，无卤素，注重环保。 2. **沟道结构**：P-Channel设计，适合于正向偏置的开关应用。 3. **低导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(ON)为500mΩ，而在VGS=20V下，这一值会更低，表明其高效率和快速响应。 4. **阈值电压**：Vth为-2.5V，对于P-Channel MOSFET来说，这是一个典型的开启电压。 5. **封装形式**：采用SOT-23封装，占用空间小，便于集成到电路板上。 6. **尺寸规格**：与传统TO-236或SOT-3-23相比，体积更紧凑，适合表面安装在1"x1" FR4板上。 在性能参数方面，文档提供了以下信息： - **漏极电压** (VDS): 最大可承受-100V。 - **持续漏极电流** (ID): 在25°C时，最大为-1.65A，在70°C时降为-1.5A。 - **脉冲漏极电流限制** (DM): 考虑了热限制，确保在1.0mH的负载电感下，最大电流为-3.0A。 - **连续源极电流** (IS): 主要用于二极管导通模式，典型值为-1.4A。 - **单脉冲雪崩电流** (IL) 和能量（AS）：在特定条件下，提供保护能力，防止过电压损坏。 - **最大功率损耗** (PD): 在不同温度下，有明确的限制，如25°C时为2.0W，70°C时降为0.58W。 - **温度范围**：工作和存储温度在-55°C至150°C之间。 最后，文档强调了在操作时需注意的最大限制条件，包括持续时间限制、温度条件下的电流和功率处理，以及脉宽受限于最高结温以避免过热。这些数据对于选择和设计使用CPH3325-TL-E-VB作为开关元件的电路至关重要。