镁光MT53D LPDDR4/4X规格详解：低电压、高性能内存芯片

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本文档是镁光(Micron)MT53D系列LPDDR4及LPDDR4X内存芯片的规格书，该芯片融合了LPDDR4和LPDDR4X技术。以下是一些关键特性： 1. **低功耗设计**：MT53D系列支持超低电压核心供电，VDD1电压范围在1.70V至1.95V（典型值1.80V），VDD2电压为1.06V至1.17V（典型值1.10V）。对于数据信号线，VDDQ或LowVDDQ可设置为0.57V至0.65V（典型值0.60V），这有助于降低能耗。 2. **宽广频率范围**：该芯片支持2133MHz到10MHz的频率范围，对应的数据速率从4266Mbps到20Mbps，适应不同应用的需求。 3. **先进的架构**：采用16级预取的DDR架构，每个通道有8个内部银行，支持并行操作，提高数据传输效率。 4. **高级命令与地址控制**：单数据速率CMD/ADR入口，每字节带有双向差分数据 strobe信号，提供灵活的指令执行。 5. **可编程延迟**：允许用户调整读写时序（RL/WL）和突发长度（BL，最大16和32字节）以优化性能。 6. **智能刷新功能**：具备针对单个银行的操作进行定向的自刷新模式，有助于命令调度，并且内置温度传感器来控制自我刷新速率。 7. **节能模式**：部分阵列自刷新(PASR)功能可以进一步节省电力，而可选的输出驱动强度（DS）设置提供了额外的灵活性。 8. **电源管理**：支持时钟停止功能，有助于在不工作状态下节省电力，并且符合RoHS标准，采用绿色包装，有利于环保。 9. **接口选项**：文档中提到的"VD"可能是电压探测信号，用于芯片内部电压监控和管理。总结来说，镁光MT53D系列LPDDR4芯片是一款高性能、低功耗的内存解决方案，具有丰富的功能和高度的灵活性，适用于各种高要求的电子产品，如移动设备、服务器和数据中心应用。通过理解和利用这些规格，设计师可以更好地集成和优化系统性能。

Table 207: MR3 I/O Configuration 1 (MA[5:0] = 03h) ...................................................................................... 278

Table 208: MR3 Op-Code Bit Definitions ....................................................................................................... 279

Table 209: MR12 Register Information (MA[5:0] = 0Ch) .................................................................................. 280

Table 210: MR12 Op-Code Bit Definitions ...................................................................................................... 280

Table 211: Mode Register 14 (MA[5:0] = 0Eh) ................................................................................................. 280

Table 212: MR14 Op-Code Bit Definition ....................................................................................................... 281

Table 213: V

REF

Setting for Range[0] and Range[1] .......................................................................................... 282

Table 214: MR22 Register Information (MA[5:0] = 16h) ................................................................................... 283

Table 215: MR22 Register Information ........................................................................................................... 283

Table 216: Internal V

REF(CA)

Specifications ..................................................................................................... 285

Table 217: Internal V

REF(DQ)

Specifications .................................................................................................... 286

Table 218: Pull-Down Driver Characteristics – ZQ Calibration ........................................................................ 288

Table 219: Pull-Up Characteristics – ZQ Calibration ....................................................................................... 288

Table 220: Terminated Valid Calibration Points .............................................................................................. 288

Table 221: Command Bus ODT State ............................................................................................................. 289

Table 222: ODT DC Electrical Characteristics for Command/Address Bus – up to 3200 Mbps ........................... 290

Table 223: ODT DC Electrical Characteristics for Command/Address Bus – Beyond 3200 Mbps ....................... 291

Table 224: ODT DC Electrical Characteristics for DQ Bus– up to 3200 Mbps .................................................... 292

Table 225: ODT DC Electrical Characteristics for DQ Bus – Beyond 3200 Mbps ............................................... 293

Table 226: Output Driver and Termination Register Sensitivity Definition ....................................................... 294

Table 227: Output Driver and Termination Register Temperature and Voltage Sensitivity ................................. 294

Table 228: Recommended DC Operating Conditions ..................................................................................... 296

Table 229: Single-Ended Output Slew Rate .................................................................................................... 296

Table 230: Differential Output Slew Rate ....................................................................................................... 297

Micron Confidential and Proprietary

200b: x32 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

Features

CCM005-554574167-10522

200b_z11m_non-auto_lpddr4_lpddr4x.pdf – Rev. A 11/17 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

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