P沟道20V MOSFET WPM2341A-3/TR特性与应用解析
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更新于2024-08-03
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"WPM2341A-3/TR-VB-MOSFET是一款P沟道MOSFET,适用于各种应用。它具有-20V的漏源电压(VDS),在不同栅极电压下,其漏源导通电阻(RDS(on))分别为57mΩ@4.5V和83mΩ@2.5V。该器件的阈值电压(Vth)为-0.81V,封装形式为SOT23。"
WPM2341A-3/TR MOSFET是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件的主要特性包括其高耐压(VDS)和低导通电阻(RDS(on))。在-20V的漏源电压下,当栅极电压VGS为-10V时,RDS(on)仅为35mΩ,而当VGS降低到-4.5V时,RDS(on)上升至43mΩ,进一步降至-2.5V时,RDS(on)为61mΩ。这些数值表明,随着VGS的减小,MOSFET的导电性会下降,但仍然保持相对较低的电阻。
在封装方面,WPM2341A-3/TR采用紧凑的SOT23封装,适合表面贴装在1"x1"FR4板上。该封装设计有利于在有限的空间内实现高效能的电路设计。此外,这款MOSFET的栅极电荷(Qg)典型值为10nC,这关乎开关速度,低的Qg意味着更快的开关性能,适合于需要快速切换的应用。
在工作条件方面,连续漏极电流(ID)在不同温度下有所不同。例如,在25°C时,ID的最大值为-4.5A,而在70°C时,这个值减小到-3.5A。脉冲漏极电流(IDM)的最大值为-18A,而连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为-1.0A。最大功率耗散(PD)在25°C时为2.5W,但随着温度升高,该值会相应减小。
关于热特性,MOSFET的最大结温(TJ)和储存温度范围(Tstg)是-55至150°C。最大结-壳热阻抗(RthJC)对于短脉冲(≤5秒)是75°C/W,而稳态下最大结-脚热阻(RthJF)为40°C/W。这些热特性对于确保MOSFET在高功率应用中的可靠性和长期稳定性至关重要。
最后,WPM2341A-3/TR MOSFET符合IEC61249-2-21标准,被认证为不含卤素,这意味着它对环境友好,符合现代电子产品的环保要求。这款MOSFET广泛适用于电源管理、逻辑切换、驱动电路等应用中,尤其是在需要高效能和低功耗的系统中。
2023-10-23 上传
2023-10-14 上传
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2024-07-03 上传
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2024-01-04 上传
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