P沟道20V MOSFET WPM2341A-3/TR特性与应用解析

"WPM2341A-3/TR-VB-MOSFET是一款P沟道MOSFET，适用于各种应用。它具有-20V的漏源电压（VDS），在不同栅极电压下，其漏源导通电阻（RDS(on)）分别为57mΩ@4.5V和83mΩ@2.5V。该器件的阈值电压（Vth）为-0.81V，封装形式为SOT23。" WPM2341A-3/TR MOSFET是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这款器件的主要特性包括其高耐压（VDS）和低导通电阻（RDS(on)）。在-20V的漏源电压下，当栅极电压VGS为-10V时，RDS(on)仅为35mΩ，而当VGS降低到-4.5V时，RDS(on)上升至43mΩ，进一步降至-2.5V时，RDS(on)为61mΩ。这些数值表明，随着VGS的减小，MOSFET的导电性会下降，但仍然保持相对较低的电阻。 在封装方面，WPM2341A-3/TR采用紧凑的SOT23封装，适合表面贴装在1"x1"FR4板上。该封装设计有利于在有限的空间内实现高效能的电路设计。此外，这款MOSFET的栅极电荷（Qg）典型值为10nC，这关乎开关速度，低的Qg意味着更快的开关性能，适合于需要快速切换的应用。 在工作条件方面，连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同。例如，在25°C时，ID的最大值为-4.5A，而在70°C时，这个值减小到-3.5A。脉冲漏极电流（IDM）的最大值为-18A，而连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为-1.0A。最大功率耗散（PD）在25°C时为2.5W，但随着温度升高，该值会相应减小。 关于热特性，MOSFET的最大结温（TJ）和储存温度范围（Tstg）是-55至150°C。最大结-壳热阻抗（RthJC）对于短脉冲（≤5秒）是75°C/W，而稳态下最大结-脚热阻（RthJF）为40°C/W。这些热特性对于确保MOSFET在高功率应用中的可靠性和长期稳定性至关重要。 最后，WPM2341A-3/TR MOSFET符合IEC61249-2-21标准，被认证为不含卤素，这意味着它对环境友好，符合现代电子产品的环保要求。这款MOSFET广泛适用于电源管理、逻辑切换、驱动电路等应用中，尤其是在需要高效能和低功耗的系统中。