高透导电的绒面ZnO薄膜：性能与制备

绒面ZnO透明导电薄膜是一种高性能的材料，由朱锋、薛玉明等人在南开大学光电研究所研发。他们利用先进的孪生ZnO(Al2O3:2%)对靶直流磁控溅射技术来制备这种薄膜，这种方法确保了高透过率和高电导率的特性。该薄膜的关键参数包括迁移率高达5.56 cm²/V·s，表明电子在电场中的移动效率非常高，载流子浓度为4.57×10²⁰ cm⁻³，这表明其内部电子浓度密集，有利于电子传输。电阻率仅为2.46×10⁻³ Ω·cm，显示出极低的电阻，这对于透明导电应用至关重要。 研究者注意到，通过酸腐蚀工艺，能够在沉积后获得绒面纹理，这是一种表面粗糙化的处理方式。有趣的是，这项工艺对绒面效果的影响并不受反应气压控制，这意味着在不同的气压条件下，薄膜的电学性能基本保持稳定。这种绒面结构增强了光的散射，导致相较于平面ZnO薄膜，其透过率虽然有所下降，但依然保持在可见光范围内平均透过率大于80%，显示出了良好的光学性能。 本文的研究成果具有重要的学术价值，特别是在透明导电领域的应用潜力，如显示器、太阳能电池、触控面板等。PACC分类代码8115H、7360F、8280N和8630J表明这项工作涉及光学材料、溅射技术、晶体学以及电学性能等多个方面，是材料科学和工程领域的一篇首发论文，为后续研究提供了新的设计思路和技术参考。