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激 光 与 光 电 子 学 进 展
写在不同位置的光谱
随着不同光栅的刻写
透射谱
的深度增加
且短波的损耗也逐渐增大
当利用
直写法刻写
时
透射谱的短波处存在明显的损
耗
其产生原因是飞 秒 激光刻写 带 来的纤芯 折 射率
变化区域的米氏散射
为了抑制这一损耗
该课题组
在不同芯径的单模光纤中利用飞秒逐点刻写了透射
深度基本相同的光栅
发现芯径越小
短波处的损耗
也越低
这是由于在 芯 径小的光 纤 内部飞秒 激 光刻
写带来的折射率变 化与纤芯 区 域有较大 的 交叠
因
此米 氏 散 射 较 小
此 外
作 者 还 在 纤 芯 直 径 为
的光纤上依次 间隔
刻写了
个不同
周期的光栅
实验发现由于米氏散射存在
光从光纤
的不同端口入射
得到的光谱也是不同的
年
来 自 俄 罗 斯 新 西 伯 利 亚 大 学 的
等
在受扭转的七芯光 纤 上用
的 飞 秒 激
光刻写了
如 图
所 示
实 现 了 在所 有 边 侧 的
纤芯轴向刻写谐振波长相同或者不同的
阵列
在中间的纤 芯 或 某 个特 定 的 边 侧 的 纤 芯 刻 写 轴 向
阵列
以及在某个横向端面的中 间纤芯和三 个
边侧纤芯刻写
阵列
在光栅的刻写过程中未去
除光纤的涂敷层
刻写出来 的 光栅阵列 可 以用于弯
曲矢量传感
图
在扭转的七芯光纤上刻写
阵列
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逐线刻写
利用逐线刻写
的
最 早 由
大
学的
等
实现
图
分别为逐线 刻写
的示意图以及四阶
的 显 微 成 像 图
其 中
v
v
光 栅 线 的 长 度 为
在刻写过程中
飞秒激光的聚 焦点首先以 速
度
v
垂直于光纤的轴向 运 动
之后以速 度
v
快速
移动到下一 条 线的刻写 起 点
光栅周期 为
光栅的总长度约为
图
为利用逐 线 刻写
的四阶
光谱
插损
约为
透射深度
为
相比于逐点刻写
逐线刻写的
具有较
小的插损与偏振相关损耗
图
采用逐线刻写的方法制备
飞秒激光逐线刻写示意图
四阶
显微示意图
逐线刻写
透射谱