AFN2336AS23RG-VB SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格

"AFN2336AS23RG-VB是一款由VBsemi公司生产的N-Channel场效应MOSFET，采用SOT23封装，适用于DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有低RDS(ON)，高电流能力，以及符合RoHS标准的特点。" 详细说明: AFN2336AS23RG-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET，设计用于低压和中等电流的应用。它的工作电压VDS为30V，能承受的最大连续漏源电流ID在环境温度为25°C时为6.5A，而在70°C时则为6.0A。这款器件的栅极阈值电压Vth在1.2V到2.2V之间，提供了良好的开关控制。 MOSFET的RDS(ON)是非常重要的参数，代表在开启状态下源漏间的电阻。在VGS=10V时，RDS(ON)为30mΩ，而在VGS=4.5V时，RDS(ON)稍微增加到33mΩ。低的RDS(ON)意味着在导通时有较低的功率损耗，从而提高了效率。 此外，该器件经过了100%的Rg测试，确保了可靠性和一致性。其符合RoHS指令2002/95/EC，表明它是无卤素的，符合环保要求。AFN2336AS23RG-VB的封装为SOT23，这是一种小型表面贴装封装，适合空间有限的应用。 在脉冲漏源电流IDM方面，器件的最大值为25A，表明它可以短暂处理高于连续电流的能力。连续源漏二极管电流IS在25°C下为1.4A，而峰值温度下的最大功率耗散（PD）在25°C时为1.7W，在70°C时为1.1W。 此外，该MOSFET的热特性也进行了规定，包括结温TJ和存储温度Tstg的范围是-55°C至150°C。推荐的焊接峰值温度为260°C，但需要注意的是，这些数值都与特定条件相关，如持续时间、散热条件等。 总结来说，AFN2336AS23RG-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，适用于需要高效、紧凑型解决方案的电源转换应用，如DC/DC转换器。其低RDS(ON)和小巧的SOT23封装使其成为便携式设备和电池供电系统的理想选择。