TN0200T-T1-E3-VB：N沟道SOT23 MOSFET技术规格与应用

"TN0200T-T1-E3-VB是一种N沟道SOT23封装的MOS场效应管，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。这款MOSFET采用TrenchFET®技术，符合RoHS指令，并通过了100%Rg测试。其主要特性包括低导通电阻和快速开关性能。" TN0200T-T1-E3-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，特别设计用于电源管理领域，如DC/DC转换器和便携设备的负载开关应用。该器件采用紧凑的SOT23封装，便于在空间有限的电路板上安装。TrenchFET®技术的应用使得它具有更高的密度和更低的表面电阻，从而提高了效率和功率密度。 在电气特性方面，TN0200T-T1-E3-VB的最大Drain-Source电压（VDS）为20V，这意味着它可以承受高达20V的电压差。同时，门极-源极电压（VGS）的最大值为±12V。在特定条件下，连续的Drain电流（ID）可达到6A，但随着温度的升高，ID会有所下降。例如，在TJ=150°C时，ID限制为6A；在TJ=70°C时，ID降低至5.1A。 这款MOSFET的导通电阻（RDS(on)）非常低，当VGS=4.5V时，典型值仅为0.028Ω，这有助于在高电流工作时减少功率损耗。同时，Qg（总栅极电荷）的典型值为8.8nC，确保了快速的开关速度，降低了开关过程中的能量损失。此外，器件还具有内置的源漏二极管，可以处理反向电流。 安全操作区域参数显示，TN0200T-T1-E3-VB的最大连续源漏电流（IS）在25°C时为1.75A，而脉冲 Drain电流（IDM）可以达到20A。最大功率耗散（PD）在25°C时为2.1W，但随着温度的上升，这个值会相应降低。该器件的工作和储存温度范围为-55°C到150°C，保证了其在各种环境条件下的稳定运行。 TN0200T-T1-E3-VB是一款高效、小型化的N沟道MOSFET，适用于对尺寸、效率和热性能有严格要求的电子设计。其特点在于低RDS(on)，快速开关性能，以及符合环保标准的无卤素设计，使其成为便携式设备和电源转换应用的理想选择。