"2310-VB是一款由VB Semiconductor推出的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。该器件的主要特点包括采用TrenchFET技术,100%的Rg和UIS测试,且符合IEC61249-2-21标准的无卤素设计。在25°C的结温下,其典型漏源电压VDS为60V,连续漏极电流ID可达到4A,栅源电压VGS典型值为10V时的RDS(ON)为85mΩ,而VGS=20V时的RDS(ON)也有所标定。阈值电压Vth在1到3V之间。"
2310-VB MOSFET的关键参数如下:
1. **漏源电压VDS**:最大额定值为60V,保证了在正常工作条件下能承受的最高电压。
2. **漏极电流ID**:在结温TJ=150°C时,ID的最大值为4A;在25°C时,ID的最大值也为4A,但随着温度升高,如在70°C时,ID会有所下降。
3. **RDS(ON)**:这是衡量MOSFET导通电阻的重要参数,当VGS=10V时,RDS(ON)为0.075Ω,而在VGS=4.5V时,RDS(ON)为0.086Ω,较低的RDS(ON)意味着更低的导通损耗。
4. **栅源电压VGS**:VGS的最大值为±20V,而阈值电压Vth则在1到3V之间,这影响MOSFET的开启和关闭特性。
5. **Qg(总栅极电荷)**:2.1nC,这是开关速度和开关损耗相关的参数,影响MOSFET的开关性能。
6. **封装形式**:采用SOT23(TO-236)封装,适合表面贴装。
7. **应用**:2310-VB常用于电池开关和DC/DC转换器,这些应用需要高效能、小体积的功率开关元件。
8. **环境友好**:符合IEC61249-2-21的无卤素规定,有利于环保。
9. **安全操作区**:通过100%的Rg和UIS测试,确保了器件在各种工作条件下的安全可靠性。
此外,还有其他一些绝对最大额定值和热特性,如脉冲漏极电流IDM、连续源漏二极管电流IS、雪崩电流IAL、单脉冲雪崩能量EAS、最大功率耗散PD以及操作和存储温度范围TJ和Tstg。这些参数确保了MOSFET在极端条件下的稳定性和寿命。
在设计电路时,应考虑这些参数以确保2310-VB能在预期的应用环境中正确、安全地工作。例如,根据热阻和最大功率耗散,设计适当的散热方案以防止过热。同时,正确选择VGS以优化RDS(ON),减少开关损耗,并确保VGS在阈值电压范围内,以保持MOSFET的可控性。