TPC8206-VB双N沟道60V MOSFET特性和应用
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更新于2024-08-03
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"TPC8206-VB是一款双N沟道60V MOSFET,采用SOP8封装,适用于各种电源管理、开关和驱动应用。它具有TrenchFET技术,提供低导通电阻和高能效。"
TPC8206-VB是一款由Toshiba或类似知名半导体制造商生产的双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于需要高效能和小型化封装的电子设计中。这款MOSFET的特点是采用了TrenchFET技术,这是一种通过在硅片上刻蚀出深沟槽来提高器件性能的方法,它可以显著降低导通电阻,从而在高电流操作时减少能量损失。
该器件的关键参数包括:
1. **导通电阻**:在VGS=10V时,每个通道的RDS(on)仅为0.028Ω,而在VGS=4.5V时,RDS(on)约为0.030Ω。低的导通电阻意味着在开关过程中,器件将能以较低的电压损失传输大电流。
2. **额定电压**:VDS的最大值为60V,这意味着它可以承受高达60V的漏源电压,适合于处理中等电压的电源电路。
3. **电流能力**:每个通道可连续承载7A的电流(在25°C环境下),在125°C时则降至4A,确保了在不同温度条件下的稳定性。
4. **脉冲电流**:峰值脉冲电流IDM可达28A,允许短时间内的高电流脉冲通过,但需要注意的是,这必须在不超过2%的占空比下进行,以防止过热。
此外,TPC8206-VB的绝对最大额定值是保证其安全操作的限制条件:
- **栅极-源极电压** (VGS) 不得超过±20V,过高的电压可能导致器件损坏。
- **结温范围** (TJ, Tstg) 从-55°C到+175°C,确保了在宽温范围内工作的可靠性。
热特性方面,当器件安装在1英寸见方的FR4材料印刷电路板上时,结到环境的热阻(RthJA)为110°C/W。这意味着每增加1W的功率损耗,器件的结温将升高110°C。为了确保长期可靠运行,需要考虑散热设计,以防止过热。
TPC8206-VB是设计中用于电源开关、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能和小型化MOSFET的应用的理想选择。其卓越的TrenchFET技术、低导通电阻以及良好的热特性使其成为许多工程解决方案的首选。在实际应用中,应充分考虑工作条件和散热需求,以充分发挥其性能并确保系统稳定。
2024-01-09 上传
2023-12-28 上传
2023-07-13 上传
2023-06-09 上传
2023-07-13 上传
2023-10-11 上传
2023-07-27 上传
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2023-09-11 上传
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