AP9435GH-VB：P沟道低阻MOSFET，适用于负载开关应用

"AP9435GH-VB是一款P沟道30V（D-S）MOSFET，采用TO252封装，具有无卤素、TrenchFET®功率MOSFET技术，通过了100%Rg和UIS测试，适用于负载开关和笔记本适配器开关应用。其主要特性包括低RDS(on)，并且在不同温度和VGS条件下具有特定的电流和电容值。绝对最大额定值包括VDS、VGS、ID、IDM、IS、IAS、EAS和PD等参数，同时提供了热阻抗RthJA的相关数据。" AP9435GH-VB是一种高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要应用于负载开关和笔记本适配器开关等场合。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术，这是一种利用沟槽结构优化器件性能的技术，能降低导通电阻（RDS(on)），从而提高效率并减少功耗。在TO252封装中，这种MOSFET具有良好的热管理和紧凑的尺寸，适合在有限空间内实现高效能电路设计。 该器件的特性包括： 1. 无卤素：符合环保要求，降低了对环境的影响。 2. RDS(on)低：在VGS=-10V时，典型RDS(on)为0.033Ω，而在VGS=-4.5V时为0.046Ω，这表明在较低栅极电压下也能保持较低的导通电阻，有助于减小导通损耗。 3. 测试保障：100%Rg和UIS测试确保了器件的可靠性和安全性。 AP9435GH-VB的绝对最大额定值是设计时必须考虑的重要参数，例如： 1. VDS最大为-30V，防止过压损坏。 2. VGS范围为±20V，超出此范围可能会导致器件损坏。 3. 在不同温度下，连续漏极电流ID有不同的限制，如在TJ=150°C时，ID应小于112A。 4. 连续源漏二极管电流IS在室温下为-4.1A，高温下为-2.2A。 5. 单脉冲雪崩能量EAS为20mJ，允许在安全范围内进行雪崩操作。 此外，热特性RthJA表示了芯片到环境的热阻抗，对于散热管理至关重要。在10秒内，当t≤10s时，典型值为38°C/W，最大值为46°C/W。较高的热阻会增加器件在高功率运行时的结温，可能导致器件性能下降或寿命缩短。 AP9435GH-VB是一种高性能、低损耗的P沟道MOSFET，适用于需要高效能开关操作的电路设计，而其各项参数和特性需在实际应用中仔细考虑以确保器件的稳定性和可靠性。