FQP13N06L-VB N沟道TO220封装MOSFET应用分析

FQP13N06L-VB N沟道TO220封装MOSFET应用分析 FQP13N06L-VB是一款N沟道TO220封装MOSFET，由VBsemi公司生产。该器件具有动态dv/dt评级、快速开关和易于并联等特点，适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器、电源控制和电机控制等应用。 **特点** * 动态dv/dt评级：FQP13N06L-VB具有动态dv/dt评级，可以在高频开关电源和DC-DC转换器等应用中工作。 * 快速开关：该器件具有快速开关特点，能够满足高频开关电源和DC-DC转换器等应用的需求。 * 易于并联：FQP13N06L-VB易于并联，可以方便地实现高电流和高电压的应用。 **电气特性** * 漏极-源极电压（VDS）：60V * 漏极-源极电阻（RDS(on)）：0.072Ω（VGS=10V） * 门极-源极电荷（Qgmax.）：25nC * 门极-漏极电荷（Qgs）：5.8nC * 漏极-门极电荷（Qgd）：11nC **绝对最大额定值** * 漏极-源极电压（VDS）：60V * 门极-源极电压（VGS）：±20V * 连续漏极电流（ID）：20A（TC=25°C），12A（TC=100°C） * 脉冲漏极电流（IDM）：68A * 线性衰减因子：0.40W/°C * 单脉冲avalanche能量（EAS）：100mJ * 最大功率耗散（PD）：60W * 峰值二极管恢复速度（dV/dt）：4.5V/ns * 工作结温度范围（TJ）：-55°C to +175°C * 存储温度范围（Tstg）：-55°C to +175°C **应用** FQP13N06L-VB N沟道TO220封装MOSFET适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器、电源控制和电机控制等应用。该器件具有动态dv/dt评级、快速开关和易于并联等特点，能够满足高频开关电源和DC-DC转换器等应用的需求。 **注意** * 在使用FQP13N06L-VB N沟道TO220封装MOSFET时，请务必参考VBsemi公司提供的datasheet和应用手册，以确保正确的使用和应用。 * 请注意FQP13N06L-VB N沟道TO220封装MOSFET的绝对最大额定值，以避免器件的损坏和故障。