FQP13N10-VB MOSFET：100V N沟道TO220封装低热阻应用解析

"FQP13N10-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于100V工作电压环境。该器件具备TrenchFET技术，能提供低热阻封装，确保高效散热，并且经过100%Rg测试。主要应用于隔离型DC/DC转换器。在设计使用时需注意其绝对最大额定值，如100V的源漏电压、±20V的栅源电压，以及在不同温度下的连续和脉冲电流限制。此外，其热性能出色，结壳热阻RthJC为0.4°C/W，而结至环境的热阻RthJA为40°C/W。器件符合RoHS标准，更多信息可在VBsemi官网查阅。" FQP13N10-VB是一款由VBsemi生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO220封装，特别适合在100V的工作电压下使用。TO220封装因其良好的散热性能在功率器件中常见，而TrenchFET技术的应用则进一步降低了导通电阻，减少了工作时的功耗，提升了效率。 这款MOSFET的最大特点之一是其能在175°C的结温下稳定工作，这使得它在高温环境下也能保持良好的性能。其低热阻特性包括0.4°C/W的结壳热阻（RthJC）和40°C/W的结至环境的热阻（RthJA），这些参数对于控制器件的温度升高至关重要，尤其是在高功率应用中。 FQP13N10-VB的额定值包括100V的连续漏源电压（VDS）、0.127Ω的栅极电压为10V时的导通电阻（RDS(on)），以及18A的连续漏电流（ID）在25°C和175°C两种情况下的不同限制。此外，脉冲漏电流IDM可达68A，而单脉冲雪崩能量EAS为200mJ，表明该器件具有一定的过载能力。 在实际应用中，FQP13N10-VB常用于隔离型DC/DC转换器，这得益于其良好的开关性能和耐压能力。设计者需要注意的是，尽管该器件有较高的电流和电压能力，但持续工作时必须遵守其工作条件，例如1%的占空比限制，以及根据安全工作区曲线进行电压降额。 器件的热管理也非常重要，当安装在1英寸平方的FR-4材质PCB上时，其热性能参数应被考虑进设计中。最后，FQP13N10-VB符合RoHS指令，这意味着它不含对环境有害的物质，符合当前的环保要求。 FQP13N10-VB是一款适合于高电压、大电流应用的N沟道MOSFET，其卓越的热性能和耐压能力使其成为隔离型电源转换解决方案的理想选择。在设计电路时，工程师需充分理解并利用这些特性，以确保设备的可靠性和效率。