FQP17P06-VB: 60V P沟道TO220封装高性能MOS管特性与应用

FQP17P06-VB是一种P沟道TO220封装的MOSFET，它属于Trench FET®系列的高性能功率MOSFET，具有出色的热性能和可靠性。该器件的特点包括： 1. 结构与封装：FQP17P06采用先进的Trench FET技术，提供了紧凑的结构，有助于减少寄生效应，提高开关速度和效率。TO220封装允许这款MOSFET在标准散热器上应用，适合于那些对空间和散热管理有较高要求的电路。 2. 参数规格： - **门极-源极电压（VGS）**：额定范围为±20V，确保了足够的栅极控制能力。 - **连续漏极电流（ID）**：在室温（TJ=25°C）下可达-40A，高温时有所降低，如TC=100°C时为-30A。 - **脉冲漏极电流（IDM）**：-90A，适合短时间峰值负载。 - **持续源极电流（IS）**：-30A，体现了单向导通特性。 - **雪崩电流（IAS）**：-28A，用于保护器件免受过电压的影响。 - **单脉冲雪崩能量（EAS）**：在0.1mH电感下的极限值为7.2mJ，保证了安全操作。 - **最大功率损耗（PD）**：在25°C下为60W，考虑到不同的环境条件，可能有所不同。 3. 温度范围：工作结温范围为-55°C至175°C，存储温度范围相同，且具有严格的短时间（t≤10秒）和稳定状态下的热阻等级。 4. 热特性：**Junction-to-Ambient**热阻典型值为20°C/W，**SteadyState Junction-to-Case**热阻典型值为5°C/W，保证了良好的热管理性能。 5. 应用场景：FQP17P06-VB适用于需要高开关速度和低导通电阻的负载开关应用，特别适合那些对电源效率和可靠性的要求较高的电子设备。 6. 安全与支持：产品通过100%的UIST（Unintentional Input Short Test）测试，并提供客户服务热线400-655-8788以获取进一步的技术支持和产品信息。 FQP17P06-VB是一款针对特定应用设计的高质量P沟道MOSFET，它集成了Trench FET的优势，确保了在严苛条件下也能稳定、高效地运行。在选择和使用时，务必参考其数据表中的限制条件，以确保正确评估其性能并避免潜在的损坏。