FDS9933-NL-VB: 2个P沟道30V高压MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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FDS9933-NL-VB是一种高性能的双极型P沟道MOSFET,它采用先进的TrenchFET®技术,具有低漏电流、高开关速度和良好的散热性能。这款MOSFET在设计上注重环保,无卤素成分,符合现代电子产品的绿色标准。
该器件的特点包括:
1. 电压规格:
- 驱动源电压(VDS):最大工作电压为-30V,确保了在各种负载条件下安全操作。
- 漏源电压范围:-30V至+30V,满足宽广的应用需求。
2. 电流能力:
- 连续漏电流(ID)在不同温度下有所不同,例如,在25°C时,ID典型值为-7.3A,而在70°C时有所下降。
- Pulsed Drain Current (IDM) 在-32A的脉冲模式下,可处理更大的瞬态电流需求。
- 由于表面安装在1英寸x1英寸FR4基板上,ID受限于封装尺寸。
3. 保护特性:
- 单脉冲雪崩电流(IAS)为-20A,确保了器件在高压冲击下的稳定性。
- 单次脉冲雪崩能量(EAS)达到20mJ,提供了较高的抗过载能力。
4. 功率处理:
- 最大连续功率消耗(PD)在不同温度下控制在5.0W(25°C)、3.2W(70°C),并有温度依赖的限制,以防止过热。
5. 温度范围:
- 运行和储存温度范围为-55°C到+150°C,确保在宽广的工作环境中可靠运行。
- 耦合热阻(Junction-to-Ambient)数据没有直接给出,但表示其良好的热管理性能。
6. 测试与认证:
- 100% UISTested,表明该MOSFET通过了严格的品质测试,可靠性高。
FDS9933-NL-VB适用于需要高效率、低功耗的负载开关应用,如电源管理、电机驱动和功率转换等场景。它的紧凑SOP8封装使其适合于空间受限的设计,并且考虑到其卓越的电气特性和可靠性,是工业级设备的理想选择。然而,在实际使用时,务必遵循制造商提供的操作指南和极限参数,以确保器件的长期稳定运行。
2023-12-22 上传
2023-12-19 上传
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2023-06-07 上传
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