FDS9933-NL-VB: 2个P沟道30V高压MOSFET特性与应用

FDS9933-NL-VB是一种高性能的双极型P沟道MOSFET，它采用先进的TrenchFET®技术，具有低漏电流、高开关速度和良好的散热性能。这款MOSFET在设计上注重环保，无卤素成分，符合现代电子产品的绿色标准。 该器件的特点包括： 1. 电压规格： - 驱动源电压（VDS）：最大工作电压为-30V，确保了在各种负载条件下安全操作。 - 漏源电压范围：-30V至+30V，满足宽广的应用需求。 2. 电流能力： - 连续漏电流（ID）在不同温度下有所不同，例如，在25°C时，ID典型值为-7.3A，而在70°C时有所下降。 - Pulsed Drain Current (IDM) 在-32A的脉冲模式下，可处理更大的瞬态电流需求。 - 由于表面安装在1英寸x1英寸FR4基板上，ID受限于封装尺寸。 3. 保护特性： - 单脉冲雪崩电流（IAS）为-20A，确保了器件在高压冲击下的稳定性。 - 单次脉冲雪崩能量（EAS）达到20mJ，提供了较高的抗过载能力。 4. 功率处理： - 最大连续功率消耗（PD）在不同温度下控制在5.0W（25°C）、3.2W（70°C），并有温度依赖的限制，以防止过热。 5. 温度范围： - 运行和储存温度范围为-55°C到+150°C，确保在宽广的工作环境中可靠运行。 - 耦合热阻（Junction-to-Ambient）数据没有直接给出，但表示其良好的热管理性能。 6. 测试与认证： - 100% UISTested，表明该MOSFET通过了严格的品质测试，可靠性高。 FDS9933-NL-VB适用于需要高效率、低功耗的负载开关应用，如电源管理、电机驱动和功率转换等场景。它的紧凑SOP8封装使其适合于空间受限的设计，并且考虑到其卓越的电气特性和可靠性，是工业级设备的理想选择。然而，在实际使用时，务必遵循制造商提供的操作指南和极限参数，以确保器件的长期稳定运行。