"STD60NF06T4&60V-VB是一款N沟道TrenchFET功率MOSFET,采用TO252封装,适用于高温环境,具有低电阻和高耐压特性。"
在电子工程领域,STD60NF06T4&60V-VB是一款重要的场效应管,尤其适用于需要高效能和小型化设计的电路。这款MOSFET以其独特的TrenchFET技术为亮点,该技术通过在硅片上挖掘精细的沟槽结构来提高开关性能,降低了导通电阻(RDS(on)),从而在高电流应用中实现更低的功耗和更高的效率。
产品特性包括:
1. 能承受175°C的结温,这使得它在高温环境下仍能保持稳定工作。
2. 60V的额定漏源电压(VDS),确保了其在高压系统中的可靠性。
3. 在VGS=10V时,RDS(on)仅为0.010Ω,而在VGS=4.5V时,RDS(on)为0.013Ω,这表明其在低栅极电压下也能保持低阻态,有利于降低功耗。
4. 它的连续漏极电流(ID)在TJ=175°C时可达60A,而在TJ=100°C时,脉冲漏极电流(IDM)可达到100A,适合大电流应用。
5. 连续源电流(IS)为50A,而雪崩电流(IAS)为50A,允许短时间内的过载能力。
6. 单次雪崩能量(EAS)的最大值为125mJ,确保了在过电压情况下的安全操作。
绝对最大额定值是设计电路时必须考虑的重要参数:
- 栅极-源极电压(VGS)的极限为±20V,超过这个范围可能会损坏MOSFET。
- 持续漏极电流(ID)在不同温度下有不同的限制,以防止过热。
- 最大瞬态结到外壳热阻(RthJA)在短时间内(t≤10s)为15°C/W,而在稳态下为40°C/W,这决定了器件的散热能力。
- 结到外壳的热阻(RthJC)典型值为0.85°C/W,最大值为1.1°C/W,影响了器件的冷却效率。
此外,这款MOSFET的封装形式为TO-252,这是一种常见的表面贴装封装,适合自动化生产和组装。其N-Channel设计意味着电流从漏极流向源极,由栅极控制,适合用作开关或放大器。在设计电路时,考虑到这些参数和特性,可以确保STD60NF06T4&60V-VB在各种应用中发挥出最佳性能。
对于需要技术支持或购买产品的用户,可以通过提供的服务热线400-655-8788联系供应商VBsemi,获取更多关于STD60NF06T4&60V-VB的数据手册和详细信息。