碳化硅:第三代半导体崛起,引领产业新潮流
156 浏览量
更新于2024-06-21
收藏 3.72MB PDF 举报
"报告深入探讨了碳化硅作为第三代半导体材料在电子产业中的崛起,强调了其优越性能,技术挑战,市场格局,以及下游应用的强劲需求。报告还提到了衬底生产的关键性,海外厂商的主导地位,以及国内企业的追赶态势。"
详细说明:
1. 性能优异,先进生产力代表:
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,其突出特性包括高击穿电场、高热导率、高速电子饱和速率和强抗辐射能力。这些特性使得由碳化硅制成的半导体器件能够承受更高的工作温度,适应高电压和高频环境,并且在较低的电能消耗下实现更高的运行效率。这在电力电子、射频通信等领域具有巨大的应用潜力。
2. 衬底为核心,技术瓶颈逐步突破:
碳化硅产业链中,衬底制造是关键步骤,当前全球市场供不应求。主要生长方法包括物理气相传输法(PVT)和高温化学气相沉积法(HT-CVD)。然而,衬底生长工艺复杂,生长条件苛刻,生长速度慢,以及良率低是行业面临的重大挑战。晶棒的缺陷和切割过程中的损耗是影响良率的两个主要因素。
3. 海外占据领先地位,国内奋起直追:
目前,碳化硅衬底市场主要由国际巨头如贰陆公司(II-IV)、科锐(Wolfspeed)和天岳先进等主导,国内企业的市场份额相对较小。在半绝缘和导电型市场,科锐尤其在导电型领域处于领先地位。不过,国内企业如天岳先进等正积极投入研发,试图缩小与国际先进水平的差距。
4. 下游需求强劲,空间+渗透率双倍增长:
碳化硅材料广泛应用于射频器件和功率器件,其中氮化镓射频器件在通信基站、雷达和其他宽带应用中逐渐替代LDMOS。根据市场预测,2019年至2025年间,全球氮化镓射频器件市场将以18%的年复合增长率增长。在导电型市场,随着新能源汽车的快速发展,碳化硅产业将迎来显著的增长动力。
5. 投资建议与风险提示:
报告推荐关注天岳先进和中瓷电子,但同时提醒投资者注意产能扩张可能低于预期,行业景气度变化和技术研发风险等因素。
综上,碳化硅作为新一代半导体材料,其技术进步和市场需求增长将对电子产业产生深远影响,同时也为投资者提供了新的机会和挑战。国内企业需不断提升技术能力,以抓住这一新兴市场的机遇。
2022-03-10 上传
2021-10-28 上传
2023-07-29 上传
2024-06-14 上传
2023-08-30 上传
2023-05-13 上传
2024-06-17 上传
2023-03-29 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/c491ecda4d154767ab8ec1031ac73154_qq_34543438.jpg!1)
手掌日月摘星辰
- 粉丝: 299
- 资源: 1643
最新资源
- Hadoop生态系统与MapReduce详解
- MDS系列三相整流桥模块技术规格与特性
- MFC编程:指针与句柄获取全面解析
- LM06:多模4G高速数据模块,支持GSM至TD-LTE
- 使用Gradle与Nexus构建私有仓库
- JAVA编程规范指南:命名规则与文件样式
- EMC VNX5500 存储系统日常维护指南
- 大数据驱动的互联网用户体验深度管理策略
- 改进型Booth算法:32位浮点阵列乘法器的高速设计与算法比较
- H3CNE网络认证重点知识整理
- Linux环境下MongoDB的详细安装教程
- 压缩文法的等价变换与多余规则删除
- BRMS入门指南:JBOSS安装与基础操作详解
- Win7环境下Android开发环境配置全攻略
- SHT10 C语言程序与LCD1602显示实例及精度校准
- 反垃圾邮件技术:现状与前景