碳化硅：第三代半导体崛起，引领产业新潮流

"报告深入探讨了碳化硅作为第三代半导体材料在电子产业中的崛起，强调了其优越性能，技术挑战，市场格局，以及下游应用的强劲需求。报告还提到了衬底生产的关键性，海外厂商的主导地位，以及国内企业的追赶态势。" 详细说明： 1. 性能优异，先进生产力代表： 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，其突出特性包括高击穿电场、高热导率、高速电子饱和速率和强抗辐射能力。这些特性使得由碳化硅制成的半导体器件能够承受更高的工作温度，适应高电压和高频环境，并且在较低的电能消耗下实现更高的运行效率。这在电力电子、射频通信等领域具有巨大的应用潜力。 2. 衬底为核心，技术瓶颈逐步突破： 碳化硅产业链中，衬底制造是关键步骤，当前全球市场供不应求。主要生长方法包括物理气相传输法（PVT）和高温化学气相沉积法（HT-CVD）。然而，衬底生长工艺复杂，生长条件苛刻，生长速度慢，以及良率低是行业面临的重大挑战。晶棒的缺陷和切割过程中的损耗是影响良率的两个主要因素。 3. 海外占据领先地位，国内奋起直追： 目前，碳化硅衬底市场主要由国际巨头如贰陆公司（II-IV）、科锐（Wolfspeed）和天岳先进等主导，国内企业的市场份额相对较小。在半绝缘和导电型市场，科锐尤其在导电型领域处于领先地位。不过，国内企业如天岳先进等正积极投入研发，试图缩小与国际先进水平的差距。 4. 下游需求强劲，空间+渗透率双倍增长： 碳化硅材料广泛应用于射频器件和功率器件，其中氮化镓射频器件在通信基站、雷达和其他宽带应用中逐渐替代LDMOS。根据市场预测，2019年至2025年间，全球氮化镓射频器件市场将以18%的年复合增长率增长。在导电型市场，随着新能源汽车的快速发展，碳化硅产业将迎来显著的增长动力。 5. 投资建议与风险提示： 报告推荐关注天岳先进和中瓷电子，但同时提醒投资者注意产能扩张可能低于预期，行业景气度变化和技术研发风险等因素。 综上，碳化硅作为新一代半导体材料，其技术进步和市场需求增长将对电子产业产生深远影响，同时也为投资者提供了新的机会和挑战。国内企业需不断提升技术能力，以抓住这一新兴市场的机遇。