ZXMP6A13FTA-VB：高性能P沟道MOSFET，适用于高压隔离应用

"ZXMP6A13FTA-VB是一款P沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于需要高电压隔离和低热阻的应用。" ZXMP6A13FTA-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其特点在于其隔离包装设计，能够提供2.5kVRMS的高电压隔离，确保了在60Hz下的长时间安全工作。这种器件的引脚到引脚的爬电距离为4.8mm，这在高电压应用中是非常重要的，因为它降低了短路的风险。此外，它能够在高达175°C的环境温度下正常工作，这使得它适合于高温环境下的应用。 该MOSFET的动态dV/dt评级意味着它能承受快速的电压变化，而不会损害其性能。其低热阻特性则确保了在高电流操作时具有出色的散热能力，有助于减少因过热而导致的故障。ZXMP6A13FTA-VB还提供无铅版本，符合RoHS标准，符合环保要求。 在技术参数方面，这款MOSFET的最大漏源电压VDS为-60V，当栅极源电压VGS为-10V时，其漏极到源极的导通电阻RDS(on)仅为0.04Ω，这意味着在导通状态下它的内阻非常低，能够提供高效的电流传输。电容方面，最大总栅极电荷Qg为12nC，栅极源电荷Qgs为3.8nC，栅极漏电荷Qgd为5.1nC，这些参数影响着开关速度和功耗。 在连续工作条件下，ZXMP6A13FTA-VB的最大连续漏极电流ID在25°C时为-5.2A，而在100°C时降低至-3.8A，这表明随着温度升高，其电流承载能力会下降。脉冲漏极电流IDM可达-21A，而单脉冲雪崩能量EAS为120mJ，表明在设计电路时需要考虑其耐受突发大电流的能力。 此外，重复雪崩电流IAR为-5.2A，重复雪崩能量EAR为2.7mJ，这些参数定义了在雪崩条件下的安全操作范围。最大功率损耗PD在25°C时为27W，峰值功率应根据线性降额因子（0.18W/°C）进行调整，以防止过热。 ZXMP6A13FTA-VB是一种适用于高电压隔离、低热阻和高温环境的P沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源和负载切换等场合。其优秀的电气特性和耐热性能使其成为许多工业和电子设备的理想选择。