英飞凌BSS816NW小信号晶体管：高效、AECQ101认证

英飞凌(BSS816NW)是一款专为小型信号应用设计的OptiMOS™2 N沟道增强模式晶体管。这款芯片具有以下关键特性： 1. **类型与模式**: BSS816NW采用N型增强模式工作，这意味着它是基于N型半导体材料，能够提供较高的电流增益。 2. **电压等级**: - **栅极源电压(VGS)**: 双向工作电压范围为±8V，支持宽广的控制电压调节。 - **漏极源电压(VDS)**: 最大额定电压为20V，允许在高电压条件下操作。 3. **电流能力**: - **连续漏极电流(ID)**: 在室温和70°C下分别为1.4A和1.1A，能满足持续的低至高负载需求。 - **脉冲漏极电流(ID,pulse)**: 在25°C时可以承受高达5.6A的峰值电流脉冲。 - **雪崩能量(EAS)**: 单次脉冲下的雪崩能量为3.7mJ，这对于保护电路免受过压事件是重要的。 4. **电荷注入速率(dv/dt)和耐冲击能力**: 当ID=1.4A, VDS=16V, di/dt=200A/μs时，能承受6kV/μs的快速变化，确保了设备在高压冲击下的稳定性。 5. **温度参数**: - **工作温度(Tj)**: -55°C至150°C，涵盖了广泛的应用环境条件。 - **储存温度(Tstg)**: -55°C至150°C，保证了长期稳定性和可靠性。 - **ESD防护级别**: 符合JESD22-A114-HBM标准，对静电放电有良好的防护措施。 6. **封装和尺寸**: - **封装类型**: BSS816NW采用PG-SOT323封装，这是一种小型化的表面安装技术(SMT)封装，有利于节省空间和提高散热效率。 - **包装信息**: 每卷包含3000个器件，带有Xc标志，表明产品经过筛选。 7. **功耗与散热**: - **总功率(Ptot)**: 在25°C下，最大功率消耗为W，适合于对能耗有限制的应用。 8. **标识与生产信息**: - **型号标记**: 产品型号明确标识为BSS816NW。 - **无铅及环保合规性**: 符合RoHS规范，且不含卤素，符合IEC61249-2-21标准。 - **焊接温度**: 260°C，用于元件的焊接过程。 - **气候类别**: IEC68-1的DIN标准，表示设备在极端温度下的性能等级。 BSS816NW是一款高性能、低功耗、小型封装的英飞凌N沟道晶体管，适用于需要高电流密度、高可靠性和严格电气安全性的电子系统设计中，尤其适合那些对温度、ESD防护和环保要求严格的工业和消费类应用。