AM4930N-T1-PF-VB双N沟道30V MOSFET特性和应用

"AM4930N-T1-PF-VB是一款双通道N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于30V工作电压环境，具有低RDS(ON)特性，分别在10V和4.5V的门极电压下，其RDS(ON)为22mΩ和26mΩ。产品符合RoHS标准，适用于如SetTopBox和低电流DC/DC转换器等应用。" AM4930N-T1-PF-VB是一款由两个独立的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）组成的集成电路，每个MOSFET都具有30V的漏源电压（VDS）额定值。这款器件设计用于低功耗和高效能的应用，如描述中提到的SetTopBox和低电流直流到直流转换器。其关键特性包括： 1. **TrenchFET技术**：该MOSFET采用了TrenchFET结构，这是一种通过在硅片上形成深沟槽来实现的小型化技术，可以显著降低RDS(ON)，从而在导通时减少功耗。 2. **低RDS(ON)**：在10V的门极电压（VGS）下，每个MOSFET的漏源电阻RDS(ON)仅为22毫欧，而在4.5V的VGS下，RDS(ON)为26毫欧。低的RDS(ON)意味着在开关操作时有更低的电压降，从而提高电源效率。 3. **高电流能力**：在25°C结温条件下，连续漏极电流ID可达到6.0A。不过，随着温度升高，最大ID会有所下降，如在70°C时，ID的最大值为5.2A。 4. **快速开关**：低栅极电荷Qg（15nC）确保了快速的开关速度，这对于需要高速切换的应用至关重要。 5. **安全特性**：该器件经过100%的UIS测试和Rg测试，确保了其在异常条件下的安全性。同时，它符合RoHS指令2002/95/EC，是无卤素设计，符合环保要求。 6. **封装与热性能**：采用SOP8小外形封装，适合表面安装。在25°C时，最大功率耗散为2.7W，而70°C时降至1.77W。在1平方英寸的FR4板上，根据特定条件，最大热阻为110°C/W。 7. **绝对最大额定值**：包括30V的漏源电压，正负20V的门极源电压，以及脉冲和连续的漏极电流限制，以保护MOSFET免受过载损害。 AM4930N-T1-PF-VB是一款高效、可靠的MOSFET，适用于需要高性能开关特性的电子设备，特别是在低电压、大电流的转换和控制电路中。其设计考虑了高温运行、快速开关和低功耗的需求，使得它成为各种电子设计的理想选择。