英飞凌OptiMOS3 IPC302N12N3 MOSFET芯片中文规格书

"IPC302N12N3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌（INFINEON）的IPC302N12N3 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，这是一种裸片形式的OptiMOS™3功率MOS晶体管。OptiMOS™3系列以其高效能和低电阻特性而闻名，适用于工业和多市场应用。 1. 产品概述 IPC302N12N3是一款N沟道增强型MOSFET，这意味着在栅极电压为零时，该器件不导通，只有当栅极电压高于源极电压时，才会形成导电沟道，从而导通。这款MOSFET特别适用于需要高效能、低损耗的电源管理解决方案。 2. 关键性能参数 - 击穿电压（V(BR)DSS）：120V，这是MOSFET可以承受的最大电压而不发生雪崩击穿。 - 导通电阻（RDS(on)）：3.81毫欧，这决定了MOSFET在导通状态下的电阻，数值越小，导通时的功率损耗越低。 - 芯片尺寸：6.7mm x 4.5mm，表明了芯片的实际物理大小。 - 厚度：250微米，指的是硅片的厚度，影响了芯片的散热能力和机械稳定性。 3. 制造与结构 - 背面金属化：采用NiV系统，提高了芯片的可焊性和可靠性。 - 正面金属化：采用AlSi系统，提供了良好的导电性。 - 钝化层：仅在边缘结构上采用氮化物，用于保护芯片表面，减少氧化和提高电气隔离。 4. 测试条件与电气特性 所有电气特性在结温Tj = 25°C下给出，除非另有说明。这确保了在标准工作温度下的性能指标。 5. ESD敏感性 作为根据MIL-STD-883C标准的静电放电敏感设备，IPC302N12N3需要适当的处理和封装，以防止静电损坏。 6. 封装与订购信息 IPC302N12N3是裸片形式，没有特定的封装信息。标记未定义，相关链接可能提供更多信息。 IPC302N12N3是一款高性能、低电阻的N沟道MOSFET，适合需要高效能和紧凑尺寸的电源管理设计。其电气特性和制造工艺确保了在各种工业和多市场应用中的可靠性能。