IC封装工艺详解：从晶圆减薄到芯片粘接

"这篇文档是关于集成电路(IC)封装工艺的介绍，涵盖了从晶圆背面减薄到芯片粘接等多个关键步骤。" 集成电路封装是电子制造业中的一个重要环节，它确保了微小的硅芯片能够安全地封装在外部设备中，便于连接和使用。以下是封装工艺的详细步骤： 1. **背面减薄(FOL-Back Grinding)**：这是封装流程的第一步，目的是减少晶圆的厚度，通常减至8至10密耳。晶圆的正面会被贴上保护胶带，以防止在研磨过程中损坏电路区域。研磨完成后，会去除胶带并测量晶圆的厚度。 2. **晶圆切割(FOL-Wafer Saw)**：晶圆会被粘贴在蓝膜(Mylar)上，以防止切割时芯片散落。使用锯片(Wafer Saw Machine)对晶圆进行切割，产生单独的Die或芯片。切割刀片寿命通常在900至1500米之间，锯片速度为30至50千转每分钟，进给速度为30至50次每秒。 3. **二光检查(FOL-2nd Optical Inspection)**：切割后的晶圆会通过显微镜进行外观检查，确认是否有破损或废品，如崩边(Chipping Die)等。 4. **芯片粘接(FOL-Die Attach)**：这个阶段包括点银浆、芯片拾取和银浆固化。首先，银浆在基板(Land/Frame)的焊盘上点涂，然后采用精密设备拾取并准确放置芯片，确保芯片与银浆接触良好。银浆在零下50度储存，使用前需回温去气泡。芯片拾取的精度非常高，分辨率可达X轴0.2微米，Y轴0.5微米，Z轴1.25微米，拾取速度为1.3米每秒。银浆覆盖率应超过75%，确保良好的粘接效果。 5. **银浆固化(Epoxy Cure)**：点胶后的芯片在一定条件下进行固化，使银浆硬化，形成稳定的连接。 整个封装过程涉及高精度的操作和严格的品质控制，以保证最终产品的可靠性和性能。这些步骤是现代电子设备中IC组件能够正常运行的基础，也是半导体产业不可或缺的技术环节。