英飞凌IRLB8721PBF HEXFET PowerMOSFET技术规格

"IRLB8721PBF是英飞凌Infineon公司生产的一款高性能电子元器件，具体为HEXFET PowerMOSFET类型的晶体管。这款芯片以其极低的RDS(on)、超低门极电荷和优化的雪崩特性而著称，适用于各种电源管理应用，如不间断电源（UPS）、逆变器、计算机处理器电源的高频同步降压转换器，以及电信和工业领域中的高频隔离型DC-DC转换器的同步整流。" IRLB8721PBF的主要特点和优势如下： 1. 极低的RDS(on)：在4.5V的栅极电压下，其最大漏源导通电阻仅为8.7mΩ，这使得该器件在高电流传输时能保持低损耗，提高系统效率。 2. 超低门极电荷：7.6nC的典型门极电荷意味着快速的开关性能，从而减少了开关损耗，提高了转换器的工作频率。 3. 完全表征的雪崩电压和电流：该器件经过充分测试，可在安全的雪崩条件下工作，增强了系统的稳定性。 4. 无铅设计：符合环保标准，适用于对环保要求严格的项目。 5. 应用广泛：特别适合于需要高效能和高频率操作的电源解决方案，如UPS/逆变器应用、高频同步降压转换器和高频隔离型DC-DC转换器。 技术参数方面： - 最大漏源电压(VDS)为30V，确保了在高电压环境下的稳定工作。 - 在25°C和100°C环境下，连续漏源电流(ID)的最大值有所不同，随温度升高而降低。 - 短脉冲漏源电流(IDM)和最大功率耗散(PD)限制了芯片在瞬态条件下的能力。 - 线性降额因子表明随着温度升高，器件的功率耗散能力会线性下降。 - 运行和存储温度范围(TJ和TSTG)确保了芯片在各种环境条件下的可靠性。 - 锡焊温度和安装扭矩规格对于确保正确的组装和热性能至关重要。 - 热阻RθJC是衡量芯片从结点到外壳的热传递效率的关键参数，直接影响芯片的散热性能。 IRLB8721PBF是一款高效、高性能的MOSFET，其卓越的电气特性使其成为电源管理领域的理想选择，尤其适合需要高效率、高速度和高可靠性的应用。