"NTD5806NT4G-VB是一款由VBsemi生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET,适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等应用。这款MOSFET在25°C时的漏源电压(VDS)为40V,具有低导通电阻,当栅极电压(VGS)为10V时,RDS(ON)为12mΩ,4.5V时为14mΩ。它符合RoHS指令2011/65/EU,并经过100%的Rg和UIS测试。" NTD5806NT4G-VB MOSFET是一款高性能的功率开关元件,其主要特点包括采用TrenchFET技术,这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构,降低了晶体管的表面电荷,从而实现了更低的导通电阻和更高的开关速度。100%的Rg和UIS测试确保了产品的可靠性和安全性,使其能够在各种严苛的应用条件下稳定工作。 该器件的最大连续漏源电流ID在不同温度下有所不同:在25°C时为50A,而当温度上升到70°C时,电流限制降低至45A。此外,脉冲漏源电流IDM可达200A,这意味着它可以短暂处理高于额定连续电流的峰值负载。对于保护功能,NTD5806NT4G-VB能够承受39A的雪崩电流脉冲,单脉冲雪崩能量EAS达到94.8mJ,这表明其具有良好的过载防护能力。 NTD5806NT4G-VB的静态特性也很出色,其栅极阈值电压Vth为1.78V,这决定了器件开启和关闭的电压点。在25°C时,器件的最大功率耗散为100W,而70°C时降至75W。这些数值是基于器件在最大结温175°C下的安全操作区计算得出的。同时,器件的最大工作和储存温度范围为-55°C至175°C,保证了其在广泛温度环境中的可用性。 总结起来,NTD5806NT4G-VB是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET,适合用于需要高效率和低损耗的电源管理电路,如OR-ing电路、服务器电源管理和DC/DC转换器等。其独特的TrenchFET技术和严格的测试标准确保了它在实际应用中的高效与可靠性。
下载后可阅读完整内容,剩余6页未读,立即下载
- 粉丝: 6991
- 资源: 2266
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- WebLogic集群配置与管理实战指南
- AIX5.3上安装Weblogic 9.2详细步骤
- 面向对象编程模拟试题详解与解析
- Flex+FMS2.0中文教程:开发流媒体应用的实践指南
- PID调节深入解析:从入门到精通
- 数字水印技术:保护版权的新防线
- 8位数码管显示24小时制数字电子钟程序设计
- Mhdd免费版详细使用教程:硬盘检测与坏道屏蔽
- 操作系统期末复习指南:进程、线程与系统调用详解
- Cognos8性能优化指南:软件参数与报表设计调优
- Cognos8开发入门:从Transformer到ReportStudio
- Cisco 6509交换机配置全面指南
- C#入门:XML基础教程与实例解析
- Matlab振动分析详解:从单自由度到6自由度模型
- Eclipse JDT中的ASTParser详解与核心类介绍
- Java程序员必备资源网站大全