英飞凌BSL207SP OptiMOS P-Channel晶体管技术规格
"BSL207SP是英飞凌公司生产的一款P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于OptiMOS系列。这款芯片设计用于小信号传输,具备增强模式和超低逻辑电平(2.5V额定值)特性,能在150°C的高温下稳定工作,并且通过了雪崩测试和快速电压变化率(dv/dt)测试。BSL207SP采用P-TSOP6-6封装,每个引脚的功能分别为:门极(pin3)、漏极(pin1、2)、源极(pin4)以及两个源极连接引脚(pin5、6)。该芯片的标记为sPA。 在电气特性方面,BSL207SP在25°C时的最大连续漏极电流ID为-6A,脉冲漏极电流可达-24A。其可承受的单脉冲雪崩能量EAS在ID=-6A,VDD=-10V,RGS=25Ω条件下为44毫焦耳。反向二极管的dv/dt极限值为-6kV/µs,而栅极源极电压VGS的最大值为±12V。在25°C时,功率损耗Ptot限制为2W,工作和存储温度范围为-55°C到+150°C,符合IEC68-1的DIN IEC 55/150/56气候类别标准。 此外,BSL207SP的引脚采用无铅电镀,符合RoHS规定,且根据AECQ101进行了汽车电子组件的合格验证,具有ESD Class JESD22-A114-HBM的Class 1a等级,表明其具有良好的静电防护能力。另外,该产品也符合IEC61249-2-21关于卤素含量的要求,因此是卤素免费的。" 此款BSL207SP MOSFET主要适用于需要高效率、低电阻和高温运行的电路设计,如电源管理、开关电源、马达驱动以及各种低功耗电子设备的控制部分。它的超低RDS(on)仅为41mΩ,意味着在导通状态下电阻非常小,能够减少电源转换过程中的能量损失。而其增强模式和2.5V的超低逻辑电平使其易于在低电压系统中驱动。由于通过了AECQ101认证,BSL207SP也适用于对可靠性和耐久性要求极高的汽车电子应用。
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