半导体存储器：基本控制信号组合与结构解析

本篇文档主要介绍了半导体存储器的基本控制信号组合方法，以及不同类型存储器的工作原理和分类。首先，我们探讨了存储器的基本结构与工作原理，这是理解后续内容的基础。半导体存储器包括只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM），其中ROM又分为掩膜式ROM、一次性可编程ROM（PROM）、紫外线擦除可编程ROM（EPROM）和电擦除可编程ROM（EEPROM）等。 掩膜式ROM是一种特殊的ROM类型，其内部结构采用单译码结构电路，由MOS管组成。它有四种状态，通过T1和T2工作管的导通与截止来代表二进制数字0和1。在写入操作中，通过X线和Y线的有效使得控制管T5至T8导通，实现数据的写入；而在读取时，同样的控制机制使单元数据线与外部数据线相连，通过T1和T2的状态获取存储内容。值得注意的是，当输出线上出现反相时，存储器的内容会是括号中所示的值。 随机存取存储器（RAM）则包括静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。SRAM的基本结构中，通过行地址译码和列地址译码选择特定的存储单元，数据通过WE（Write Enable）和OE（Output Enable）控制线进行读写操作。SRAM的内部设计通常包含列选通逻辑和基本存储单元，如6管存储单元，这些细节对于理解SRAM的工作原理至关重要。 本文还提到了6116这样的具体型号，这是一款常见的SRAM芯片，其引脚布局和功能也一并被提及。通过这些信息，读者可以深入了解存储器如何与CPU连接，以及如何通过不同的控制信号来执行读写操作，特别是在虚拟存储器的概念中，这些基础知识尤为重要。 本章节详细介绍了半导体存储器的内部构造、工作流程和接口机制，对于学习计算机硬件和系统设计的学生或工程师来说，是一份非常有价值的参考资料。