2021年电力电子试题库自动化-电力电子器件知识点概述

2021年电力电子试题库自动化.doc是一份电力电子方面的试题库，其中包含了一些关于电力电子器件的填空题。本次总结将对这些填空题进行描述和解答。 第一题，普通晶闸管内部有PN结，外部有三个电极，分别是阳极、阴极和门极。晶闸管是一种双向控制的电子开关器件，可以实现自火花瞬间导通到关断的转变。 第二题，晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。阳极电流开始流动，晶闸管处于导通状态。当阳极电流达到一定值后，只要门极电压不变，晶闸管就能一直导通。 第三题，晶闸管的工作状态有正向导通状态、正向关断状态和反向关断状态。正向导通状态是指晶闸管在正向电压作用下导通，正向关断状态是指晶闸管在正向电压下关断，反向关断状态是指晶闸管在反向电压作用下关断。 第四题，某半导体器件型号为KP50-7，其中KP表达的是该器件的名称，50表示的是额定电压，7表示的是额定电流。 第五题，只有当阳极电流不大于保持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。保持电流是指晶闸管在导通状态下需要保持的最小电流值。 第六题，GTO的全称是Gate Turn-Off thyristor（门控可关断晶闸管），其图形符号为普通晶闸管的符号上方多一个箭头。GTR的全称是Gate Turn-Off Rectifier（门控可关断整流器），其图形符号与二极管相似，但在箭头上方多一条直线。P-MOSFET的全称是P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管），其图形符号为三个相连的箭头。IGBT的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管），其图形符号是IGBT的符号上方多一个箭头。 第七题，GTO的关断是靠门极加负向浮压来实现。当门极施加负向电压时，使得GTO的发射极电位下降，从而使得GTO进入关断状态。 第八题，大功率晶体管简称HPT（High-Power Transistor），普通指的是耗散功率高于一定数值的晶体管。大功率晶体管通常用于高电压、高电流的电力电子应用中。 总的来说，电力电子器件是电力电子领域中不可缺少的一部分。掌握电力电子器件的工作原理、型号、使用条件等知识对于电力电子工程师来说非常重要。通过研究和解答填空题，可以加深对电力电子器件的理解和掌握，提高在电力电子领域的应用能力。