2021年电力电子试题库自动化.doc是一份电力电子方面的试题库,其中包含了一些关于电力电子器件的填空题。本次总结将对这些填空题进行描述和解答。
第一题,普通晶闸管内部有PN结,外部有三个电极,分别是阳极、阴极和门极。晶闸管是一种双向控制的电子开关器件,可以实现自火花瞬间导通到关断的转变。
第二题,晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压时,门极上加上触发电压,晶闸管就导通。阳极电流开始流动,晶闸管处于导通状态。当阳极电流达到一定值后,只要门极电压不变,晶闸管就能一直导通。
第三题,晶闸管的工作状态有正向导通状态、正向关断状态和反向关断状态。正向导通状态是指晶闸管在正向电压作用下导通,正向关断状态是指晶闸管在正向电压下关断,反向关断状态是指晶闸管在反向电压作用下关断。
第四题,某半导体器件型号为KP50-7,其中KP表达的是该器件的名称,50表示的是额定电压,7表示的是额定电流。
第五题,只有当阳极电流不大于保持电流时,晶闸管才会由导通转为截止。保持电流是指晶闸管在导通状态下需要保持的最小电流值。
第六题,GTO的全称是Gate Turn-Off thyristor(门控可关断晶闸管),其图形符号为普通晶闸管的符号上方多一个箭头。GTR的全称是Gate Turn-Off Rectifier(门控可关断整流器),其图形符号与二极管相似,但在箭头上方多一条直线。P-MOSFET的全称是P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),其图形符号为三个相连的箭头。IGBT的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管),其图形符号是IGBT的符号上方多一个箭头。
第七题,GTO的关断是靠门极加负向浮压来实现。当门极施加负向电压时,使得GTO的发射极电位下降,从而使得GTO进入关断状态。
第八题,大功率晶体管简称HPT(High-Power Transistor),普通指的是耗散功率高于一定数值的晶体管。大功率晶体管通常用于高电压、高电流的电力电子应用中。
总的来说,电力电子器件是电力电子领域中不可缺少的一部分。掌握电力电子器件的工作原理、型号、使用条件等知识对于电力电子工程师来说非常重要。通过研究和解答填空题,可以加深对电力电子器件的理解和掌握,提高在电力电子领域的应用能力。