工程科学与技术，国际期刊21（2018）850完整文章分层条件下气体绝缘母线槽中锥型间隔棒的金属插入件对场应力的缓解Jagadeesh Adaria，Venkata Siva Krishna Rao Gadib，Venkata Nagesh Kumar Gundavarapuc，a印度维沙卡帕特南GITAM大学生物学系b印度维沙卡帕特南安得拉大学生物学系c印度维萨卡帕特南，Vignan信息技术学院，信息技术系。阿提奇莱因福奥文章历史记录：2016年11月20日收到2018年5月21日修订2018年6月27日接受2018年7月21日在线提供保留字：气体绝缘母线绝缘绝缘子电场A B S T R A C T随着城市电力需求和能源密度的增加，气体绝缘系统（GIS）取代了传统的空气绝缘变电站。可靠、高效地设计GIS中的模块一直是电力工程师关心的主要问题。主要的介电强度击穿和沿面闪络的原因是由于绝缘体故障，如过度的电场增强，在三相点结形成的电极-气体-绝缘体界面。在锥形间隔器上进行了沿间隔器表面减小场的深入研究最初，使用正常类型的间隔器进行现场研究，然后扩展到具有各种形状的模制间隔器，以获得最佳的现场分布。这种形状控制有时可能会导致非常不均匀的形状。此外，为标准锥型间隔物设计了功能梯度材料（FGM），以获得沿间隔物表面的均匀场应力，以克服上述问题。间隔物的分级计算梯度间隔物的不同情况下的电场，并且调谐金属插入物和凹陷电极也被吸收在间隔物几何结构中，更好的场分布。最后通过与锥型FGM隔离片的场分布比较，验证了本文的工作。尽管在间隔件的制造、工作和维护期间采取了适当的注意，但考虑了脱层效应，进行了类似的分析，并给出了分析结果。©2018 Karabuk University. Elsevier B.V.的出版服务。这是CCBY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）。1. 介绍自20世纪60年代后期以来，由于城市化的限制，能源消耗迅速增长，气体绝缘系统得到广泛应用。该系统的主要部件是SF6气体、垫片、导体和外壳. GIS中的固体绝缘子用于对气体绝缘母线槽中的导体提供机械支撑。除了机械支撑外，它们还负责在高压电极和外壳之间提供间隙。间隔物的精确建模对于电力工程师来说是一个重要因素，因为主要的闪络报告了这些称为间隔物的支撑结构的失效。在气体-电极-间隔层界面处的过度场强称为三重结是需要回答的问题。另一方面，尽管在间隔件的制造、运行和维护过程中采取了谨慎措施，但仍存在以下可能性：*通讯作者。电子邮件地址：drnagesh@vignanvizag.com（V.N.K.Gundavarapu）。由Karabuk大学负责进行同行审查。某些潜在缺陷，如分层、突出、空隙等。这些缺陷在系统运行期间对系统的绝缘强度有广泛的影响，反映了系统的寿命。Maren Istad等人[1]研究了气体绝缘系统中各种组件之间的适当绝缘增强和协调，这在电力行业中非常重要。Cook- son等人[2]发现，间隔物失效是系统中介电强度击穿和表面闪络的原因之一。局部放电现象，沿表面的电场分布被认为是衡量介电强度击穿的可能性。另一方面，报告显示垫片表面存在某些潜在缺陷，如分层（粘合剂损失）、空隙、裂纹等，尽管垫片在制造和维护过程中经过了各种测试。这些缺陷会影响电场分布，进而导致隔离层失效。控制沿表面传播的场的有效手段减少三相点结处的电场是一种可以提高绝缘强度和协调性的方法。https://doi.org/10.1016/j.jestch.2018.06.0182215-0986/©2018 Karabuk University.出版社：Elsevier B.V.这是一篇基于CC BY-NC-ND许可证的开放获取文章（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）。可在ScienceDirect上获得目录列表工程科学与技术国际期刊杂志主页：www.elsevier.com/locate/jestchJ. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850851M. S. Mashikian等人[3]基于Freeman的动态规划方法设计了用于三相六氟化硫气体绝缘电缆的优化柱式间隔棒。作者采用Marquardt方法对柱形隔片的轮廓进行了改进，使隔片表面的最大电场最小。椭圆形横截面间隔，优化产生的最大值的总场强减少。C.M. Cooke等人[4]研究了同心压缩气体绝缘输电线路的支柱型支撑间隔件的闪络性能，该输电线路沿固气界面具有金属插入件。闪络电压受电场分布的控制，并与气体中的应力增强成反比。径向气隙的火花放电已成为间隔棒设计的限制因素，而不是沿面闪络。 Sudarshan，T. S等人[5]综述了系统参数对闪络特性的影响，如绝缘子尺寸、形状、表面条件、三重结几何形状、电压波形、气体成分和颗粒污染。分层是垫片生产中的主要缺陷之一。由于热应力或机械应力，在电极/环氧树脂界面处将引发分层，导致局部放电（PD）活动。分层导致电场沿间隙G的变化。Ueta，J.许多研究人员进行的研究清楚地表明，需要精确的几何形状控制的间隔有一个准均匀的场分布，使整个系统的性能可以提高。T. Takuma等人[7]研究了控制间隔物的几何形状可以有效地获得沿其表面的准均匀场分布。通过插入受控金属插入物和屏蔽电极，可以降低三相点结处的场强度，但是会导致沿间隔物的其他区域处的场强增加。隔离层缺陷如分层、空洞、裂纹等影响电场分布，需要加以控制。此外，这些缺陷的各种形状和尺寸对场分布的影响非常需要提高系统的可靠性[8数值场计算方法基本上可分为两大类。第一种是基于区域细分的方法，如有限差分法（FDM）和有限元法（FEM）;第二种是基于边界细分的方法，如电荷模拟法（CSM）和边界元法（BEM）。每种方法都有其优缺点，有限差分法难以应用于复杂或弯曲边界的问题，CSM需要经验和直觉来选择合适的模拟电荷位置，边界元法在计算点与源重合时数值积分往往比较麻烦，而有限元法涉及到更复杂的编程。尽管有限元法有其自身的缺点，但它更适合于解决复杂的问题。形状控制，以获得均匀的场应力沿间隔件的表面，并结合金属插入物和凹陷的双极，以尽量减少在TJ的电场应力已是有效的。已经发现，如果中间间隙场保持在起始水平以下，则进一步的金属插入物提供三重结的有效屏蔽。但是这些方法增加了间隔件设计的复杂性，并且有时在经济上也不可行。FGM是一种技术，通过该技术，对支撑绝缘子的介电常数进行调制，以获得沿标准形状的间隔件的表面的均匀场应力。采用离心力控制填料在环氧树脂中的扩散，合成了功能梯度支撑绝缘子。已经做出努力，以获得均匀的场应力沿间隔物的表面，但在HV和接地电极TJ两端的电场应力的最小化需要进一步的研究。本文对锥型隔套进行了精确的隔套几何形状控制，并进行了现场研究。考虑到三相点结处较低的场和沿表面合理均匀的场分布，得到了进一步改进的锥型隔离层。计算了电场分布有限元法是计算非线性表面应力的最佳方法。这通过沿着间隔件的适当成形来实现。进一步评价了控制金属插入物和凹进电极对场分布的影响，特别是在三相点结处，以减少应力。用三种不同的介电常数梯度支撑绝缘子分析了间隔层表面和间隔层两端三重结处的电场应力，并对结果进行了分析。2. 锥形垫片在GIS中，使用的两种主要绝缘介质是SF6气体和称为间隔物的固体绝缘支撑物。用于GIS及其相关应用的常用材料是氧化铝或二氧化硅填充的环氧树脂基体。GIS中的首选形状是盘形、锥形和柱形绝缘子。对于目前的工作，一个正常的锥型垫片，外电极与内电极之间的间隙为100 mm。对于内电极，施加1.0 p.u的电压，而外电极接地。在此基础上，采用SF6气体作为放电气体，相对介电常数为1.005.间隔件由相对介电常数为4.5的环氧树脂材料制成。电场估计是通过使用FEM技术完成的，这将在下一节中详细介绍。鉴于沿间隔件表面获得的场扩散，通过具有合理平滑的轮廓来修改锥型间隔件的几何形状，避免刚性曲线，因为它们可以增强场分布。优化的间隔件的轮廓如图1所示。半径改变垫片表面的曲率，得到了磁场分布图。在比较时，将形状较好的间隔子场分布与正常的锥型间隔子场分布进行了比较，以进一步证实。在间隔物处使用金属插入物和较低水平电极可有效降低三相点结处的场[17]。该方法适用于考虑不同尺寸的椭圆形镶块的最优定距。绘制了不同椭圆形金属镶片的垫片表面应力分布图。所获得的最佳模具间隔模型与微调金属插入物和较低水平的双极是必需的，如图2所示。金属插入物对降低场应力具有良好的影响，特别是在三相点连接处。3. 功能梯度材料锥型间隔子由于气体绝缘区的介电常数比固体绝缘体的介电常数低，因此在交流和冲击电压下的电场应力通常在气体区得到增强。为了最小化该场增强，通过调制固体绝缘体内的介电常数来使FGM间隔物有效。通过介电常数梯度FGM电场的应力增强在感兴趣的区域可以最小化。重要的方面是选择介电常数分布，以便尽可能地提高电场应力分布的场利用率。FGM支撑绝缘子为设计具有标准形状和分布介电常数的支撑绝缘子创造了新的舞台。调制沿间隔物的长度的介电常数分布，可以控制场应力以根据要求获得。图3示出了FGM型同轴盘型支撑绝缘子。介电常数渐变材料的处理方法如下：852J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850Fig. 1. 最佳的模具隔圈轮廓。图二. 最佳的模具间隔电极和调谐金属插入。图3.第三章。GIB，导体由FGM垫片支撑在掺入以下从而获得适于获得均匀场分布的介电常数分布。在常数-e材料中，介电常数在整个材料中保持恒定因为填料密度在整个材料中是恒定的，而在GL-FGM中，高介电常数填料的密度在离心方向上增加，由此可以在一端获得高介电常数，而在另一端获得低介电常数。在GH-FGM中，低介电常数填料如Al2 O3的密度被制成在离心方向上累积，以获得在离心端具有低介电常数而在另一端具有高介电常数的特性。为了研究切割女性生殖器官的有效性，考虑了三种情况。情况1是分级到高FGM（GH-FGM），其中介电常数从内导体到外壳体逐渐增加，如图4所示，情况2是分级到低FGM（GL-FGM），在这种情况下，当我们从内导体移动到外壳体时，介电常数逐渐减小，如图5所示，情况3是U-FGM，其中介电常数从内导体逐渐减小J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）8508532£¼2ω2ω@x2@y21816141210864200 50 100朝向外壳增加半径见图4。GH-FGM情况下的介电常数变化1412108642考虑实际隔离区场分布、脱层和空洞等因素对隔离区的影响，确定了最佳的结晶器锥型隔离区。间隔物中的分层是一种现象，通过该现象，其失去粘合力，导致在电极和间隔物之间形成空间。为了获得分层的效果，如图7所示，在间隔件和电极之间考虑矩形空间。图8示出了具有金属插入件凹入双极的Optimal模具锥型间隔件。随后，为了确定分层的大小，检查矩形空间的各种宽度和各种高度5. 电场计算文献报道了几种方法的应用，如电荷模拟法、边界元法等。但由于计算难度大、耗时长，因此采用有限元法计算垫片表面的电场应力在有限元法中，完整的空间被分解成三角形和四面体形状的小块，分别用于二维和三维分析计算在每个结处连接的电压。该技术采用拉普拉斯和泊松方程存储在字段中的总能量最小化[1800 50100W1=2ZZZ2 jgradVjdUð1Þ朝向外壳图五、GL-FGM情况下的介电常数变化14此外，对于GIS布置，预期材料是各向同性介电材料，并且电势分布在z方向上不改变，即二维轴对称情况。有限区域结构内的总存储能量现在根据下式给出：12W1ZZ“@2V@2V#£¼2 ω210@x2@y2dxdy2016年其中（W/u）因此是每基本面积的能量密度dA。8.在应用基于上述方程的任何最小化标准之前，6分布V（x，y，z）必须作出。应强调这是一个不间断的函数，4可能存在。因为不可能找到一个连续的函数，对于整个区域A，必须进行充分的离散化所以2所考虑的区域被细分为三角形元素因此，0 50 100150朝向外壳W1X “@2V@2V#见图6。U-FGM情况下的介电常数变化如图6所示，朝向绝缘体的中心逐渐增加，然后朝向外壳逐渐增加。有限元法n是元素的总数，Ai是第i个三角形元素的面积。因此，可以考虑关于完整系统内适当的方法来评估电场应力的COM，@X W <$0;其中X<$4ð4Þ丛几何用于计算电场应力。4. 分层对场分布尽管在制造垫片时很小心，但几乎没有缺陷。这些缺陷包括垫片表面的分层、凸起、凹陷、空隙等。这些缺陷可能在制造过程中或维护过程中形成。这些缺陷对场行为有重要影响。为了分析@fVx;yg£6. 结果和讨论6.1. 模锥式隔套首先考虑一个正常的圆锥型间隔物，场的外半径-导体的内半径为100 mm。介电常数电容率介电常数n1/1ωAi854J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850见图7。 具有可变高度（delh）和可变宽度（delw）的矩形分层。见图8。 最佳模具锥型间隔与金属嵌件凹进电极。气体分别取为4.5和1.015。为了简化计算，这些量被解释为单位参数。将1 V p.u的电压施加到导体（阳极），外壳（阴极）接地（V = 0）。图9示出了沿具有不同形状的所设计的间隔件的凹面的电场。沿垫片凹面向下的电场分布是可预测的，并绘制在图10中。间隔物的尖锐边缘导致电场分布不均匀，并且还谈论三相点结处的电场为0.6P.U.之后，通过平滑尖角来完成锥形间隔件的适当成型。沿着模制间隔件的凹面获得的场曲线用于各种圆角，如30，40和50报告了局部均匀应力，尤其是圆角40的应力分布是最佳的，其值在主要部分上小于1.0。在三角点结处，圆角为40的场分布为0.59，而正常间隔件的场分布为0.632 p.u。另一方面，场应力的变化较小，三点连接，并模制间隔件的几何形状。为了使三相点结处的电场最小化，在最佳的模锥间隔件中加入了金属插入件和凹进电极。优化可以通过改变所选椭圆形金属插入件的高度和宽度来完成，如图1和图2所示。分别为10和11。根据图7，金属插入件的高度差按顺序为2 mm、3 mm、4 mm、5 mm和10 mm。对于10 mm的高度，最大应力达到1.13 p.u，而对于2 mm的高度，最大应力降低到1.06 p.u。金属插入件的宽度偏差被认为在10 mm、12 mm、15 mm和19 mm的范围内，这导致场的宽度19 mm时为1.1 p.u表1中显示了不同尺寸金属衬垫的垫片表面电场差异。通过插入金属嵌件和较低水平的应力，J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850855见图9。 所设计的不同形状的间隔物的凹面电场。见图10。 正常和模制垫片的垫片表面下方的场分布。见图11。 固定高度和可变宽度金属插入物的间隔物凹面上的电场分布。856J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850表1不同尺寸金属嵌件下沿垫片表面的电场分布沿垫片表面的p.u.电场MI宽度= 10 mm MI宽度= 15 mm MI宽度= 19 mm以mm高度=2毫米高度=4毫米高度=6毫米高度=8毫米高度=2毫米高度=4毫米高度=6毫米高度=8毫米高度=2毫米高度=4毫米高度=6毫米高度=8毫米00.350.310.270.230.220.170.140.110.030.020.0120.008100.640.620.590.560.670.650.630.580.730.720.690.66200.820.830.840.850.830.840.860.880.840.870.880.9300.910.940.960.990.920.950.971.010.930.950.981.01400.981.01.021.050.991.011.031.060.991.011.041.04501.01.021.041.061.011.031.051.081.021.041.061.09601.011.031.041.061.021.041.061.081.031.051.071.09701.011.031.041.061.021.031.051.071.021.041.061.08801.011.021.031.041.011.021.041.061.021.031.051.07901.01.021.031.051.021.031.051.061.031.041.061.071001.021.031.051.061.041.051.071.081.051.061.081.10个电极据报道，对于19 mm的宽度，应力低至0.016 p.u进一步地，在三重连接处的场被减少到0.066 p.u。尽管在间隔件的制造中采取了适当的注意，但存在具有某些缺陷的可能性，这些缺陷可能在微观水平上，但考虑到部件的老化，需要认真分层的影响（损耗）被认为是在转子表面和外壳表面。三相点结处的场和各种间隔物配置的最大场应力如表2所示。从表2中可以观察到，三重结处的电场具有金属插入物和凹进电极的最佳模具间隔件的标准间隔件从0.63 P.U减小到0.08 P.U。垫片承受的最大应力从1.142降至表2三相点结处的电场应力和不同间隔物情况下的最大应力值。间隔件在p.u.的最大值E（p.u.）标准垫片0.6321.142调制间隔器0.591.05带MI RE的0.081.10分层下的调制间隔器1.121.96分层下的调制间隔器29 * 10-91.12关于MI RE1.10.但是，像分层这样的缺陷对场有影响，特别是在三相点接合处，增加到1.12 p.u，记录到1.96 p. u的最大应力。插入金属嵌件和低水平电极成功地降低了三相点处的最大应力。6.2. 功能梯度间隔层采用FGM锥型垫片，外电极与内电极之间的间隙为80 mm。内电极施加72.5 kV、145 kV和220 kV电压，外电极接地。母线槽中充入SF6气体，绝缘子采用功能梯度材料，具有三种介电常数分布。图图12和图13示出了不具有和具有分层效应的模具间隔件的应力。沿用于高分级至FGM的间隔件表面的电场应力（GH-FGM）在图1和图2中示出了没有金属插入件和具有金属插入件的情况。十四和十七。还对低等级切割女性生殖器（GL-FGM）和U-FGM进行了分析，结果见图1和图2。图15和图16在没有金属插入件的情况下，以及图16在没有金属插入件的情况下，18和19，带金属插件。电场分布随脱层效应和金属插入物的存在而变化，如图11和图12所示。20-22用于不同等级的间隔物。表3和表4显示了沿无金属插入物和有金属插入物的间隔物表面的计算电场应力。表5显示了分层效应下的计算电场应力，见图12。 考虑分层效应时结晶器隔离片的电场分布。J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850857图十三. 脱层下具有金属嵌件和凹进电极的最佳模具隔离物的电场分布(a) 各种施加电压（b）电压72.5KV图十四岁GH-FGM在无金属包覆下的电场应力（a）各种施加电压（b）电压为72.5KV的图十五岁GL-FGM在无金属覆盖层情况下的电场应力858J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850(a) 各种施加电压（b）电压72.5KV图十六岁U-FGM在无金属包覆下的电场应力(a) 各种施加电压（b）电压72.5KV图十七岁GH-FGM中金属掺杂的电场应力(a) 各种施加电压（b）电压72.5KV图十八岁GL-FGM在金属掺杂下的电场应力J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850859(a) 各种施加电压（b）电压72.5KV图十九岁U型功能梯度材料中金属掺杂时的电场应力(a) 各种施加电压（b）电压72.5KV图20. GH-FGM分层效应下的电场应力(a) 各种施加电压（b）电压72.5KV图21岁GL-FGM在金属包覆层分层效应下的电场应力860J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850(a)各种施加电压（b）电压72.5KV图22岁U型功能梯度材料在金属包覆层分层效应下的电场应力表3无金属插入物时阳极和阴极端的电场应力类型应用72.5 kV145千伏220 kV电压电场应力电场应力电场应力电场应力电场应力电场应力内电极端，外壳端，内电极端，外壳端，内电极端，外壳端，kV/cmkV/cmkV/cmkV/cmkV/cmkV/cmGH-FGM情况14.334.364.3410.274.3410.27壳体24.8110.034.8110.034.8110.03壳体35.5610.275.5710.145.5710.14GL-FGM情况12.5620.202.5720.202.6220.67壳体22.5417.222.5317.222.5917.62壳体32.5216.752.5116.742.5617.12U-FGM情况12.4614.202.4514.202.4414.20壳体22.5713.822.5713.822.5713.82壳体32.8713.052.8713.062.8713.06表4金属插入物存在时阳极和阴极端的电场应力类型应用72.5 kV145千伏220 kV电压电场应力电场应力电场应力电场应力电场应力电场应力内电极端，外壳端，内电极端，外壳端，内电极端，外壳端，kV/cmkV/cmkV/cmkV/cmkV/cmkV/cmGH-FGM情况12.570.112.800.112.950.11壳体22.870.113.170.115.240.11壳体33.370.113.710.112.440.12GL-FGM情况11.590.271.750.272.450.27壳体21.570.241.730.242.480.24壳体31.570.241.730.242.370.25U-FGM情况11.510.161.670.162.480.16壳体21.600.161.770.162.790.17壳体31.800.161.980.162.950.17表5存在金属插入物和分层时阳极和阴极端的电场应力类型应用72.5 kV145千伏220 kV电压电场应力电场应力电场应力电场应力电场应力电场应力内电极端，外壳端，内电极端，外壳端，内电极端，外壳端，kV/cmkV/cmkV/cmkV/cmkV/cmkV/cmGH-FGM情况12.590.0022.520.0042.580.022壳体22.950.0023.060.0032.870.021壳体33.390.0023.422.2073.380.020GL-FGM情况11.600.0021.590.0011.670.001壳体21.580.0021.580.0011.660.001壳体31.580.0011.570.0011.650.001U-FGM情况12.630.0022.520.0062.580.002壳体22.880.0022.950.0052.870.002壳体33.420.0023.370.0053.400.002J. Adari et 其他/工程 科学和 技术，国际期刊 21（2018）850861有金属嵌入物。可以观察到，在三重结的外壳端处的电场应力已经减小，但是在没有具有变化电压的金属插入物的情况下，在内导体端TJ处的情况下没有减小。7. 结论本文研究了无缺陷隔离层和有分层缺陷隔离层情况下，隔离层几何形状的改变对场分布的影响。此外，通过微调金属插入物和下层电极，研究了三相点结处的高场应力。很少通过形状建模来控制应力，这导致了成型和制造等困难。 FGM间隔件被视为成型模制间隔件的更好替代方案，因为FGM间隔件保持其常规形状，从而减轻模制和制造的困难。从结果和分析中可以得出以下几点。1. 间隔物几何形状的修改在获得沿间隔物表面的局部均匀场分布方面起着至关重要的作用。模制的锥形间隔器能够在允许值内获得良好的场。此外，它会影响三相点结处的场，但不会产生重大影响。2. 金属插入物和较低水平的电极放置在附近的间隔有广泛的影响，在三相点结的场应力。然而，插入件的成形使三相点接合处的应力迅速降低。减少在三相点结与成形金属插入物的场应力增加了场蔓延下来的间隔，但在有限的限制范围内的剩余表面。这是由于人为控制局部场增强。3. 分层等缺陷会影响沿间隔物表面的场分布。然而，间隔物结构的精确成形可以使场分布局部均匀。分层的大小对沿间隔物表面向下的场分布有影响。分层会使三相点连接处的场应力显著增加。4. 金属插入物和下层电极对三相点结处的场应力有影响，即使在有缺陷的间隔物上也是如此。通过精细调谐的金属插入件和结合到分层影响的间隔件的较低水平的电极，将获得非常低（接近于零）的值。然而，局部场应力增加了间隔件表面的中间部分处的场5. 对于所有三种类型的FGM间隔件，考虑了三种情况下的双折射分布。从计算的电场应力可以看出，在三重结的封闭端的电场应力是显着的高。6. 金属插入件用于使该电场应力最小化，并且当电场应力与没有金属插入件时的电场应力的值一致时，电场应力减小到更大的值7. 在三种类型的梯度材料中，用于间隔物的GL-FGM在外壳端部三重结处获得了最大的电场应力降低8. 因此，具有调谐金属插入件的FGM间隔件在获得更好的应力分布方面起着至关重要的作用，从而导致长时间的无飞弧间隔件性能。引用[1] Maren Istad，Magne Runde，36年的全国气体绝缘变电站服务经验，IEEETrans. 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