stm32f031f6p6 flash扇区读写代码

以下是使用STM32F031F6P6的HAL库进行Flash扇区读写的示例代码：

#include "main.h"
#include "stm32f0xx_hal.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR  ((uint32_t)0x08003800)   // Flash用户区起始地址
#define FLASH_USER_END_ADDR    ((uint32_t)0x08003FFF)   // Flash用户区结束地址
#define FLASH_SECTOR_NUM       FLASH_SECTOR_7          // Flash扇区7

#define DATA_SIZE              256                     // 数据大小

uint32_t flash_address = FLASH_USER_START_ADDR;        // Flash存储地址

uint32_t data_write[DATA_SIZE/4] = {0};                // 待写入的数据
uint32_t data_read[DATA_SIZE/4] = {0};                 // 读出的数据

void SystemClock_Config(void);
void MX_GPIO_Init(void);
void MX_FLASH_Init(void);

int main(void)
{
  HAL_Init();

  SystemClock_Config();

  MX_GPIO_Init();
  MX_FLASH_Init();

  // 待写入数据初始化
  for (int i = 0; i < DATA_SIZE/4; i++) {
    data_write[i] = i + 1;
  }

  // 扇区擦除
  FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_NUM, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);

  // 数据写入
  for (int i = 0; i < DATA_SIZE/4; i++) {
    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, flash_address, data_write[i]);
    flash_address += 4;
  }

  // 数据读出
  flash_address = FLASH_USER_START_ADDR;
  for (int i = 0; i < DATA_SIZE/4; i++) {
    data_read[i] = *(__IO uint32_t*)flash_address;
    flash_address += 4;
  }

  while (1)
  {
    // 程序待处理
  }
}

// 系统时钟配置
void SystemClock_Config(void)
{
  RCC_OscInitTypeDef RCC_OscInitStruct;
  RCC_ClkInitTypeDef RCC_ClkInitStruct;

  /**Configure the main internal regulator output voltage 
  */
  __HAL_RCC_PWR_CLK_ENABLE();

  __HAL_PWR_VOLTAGESCALING_CONFIG(PWR_REGULATOR_VOLTAGE_SCALE1);

  /**Initializes the CPU, AHB and APB busses clocks 
  */
  RCC_OscInitStruct.OscillatorType = RCC_OSCILLATORTYPE_HSI;
  RCC_OscInitStruct.HSIState = RCC_HSI_ON;
  RCC_OscInitStruct.HSICalibrationValue = RCC_HSICALIBRATION_DEFAULT;
  RCC_OscInitStruct.PLL.PLLState = RCC_PLL_NONE;
  if (HAL_RCC_OscConfig(&RCC_OscInitStruct) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler();
  }

  /**Initializes the CPU, AHB and APB busses clocks 
  */
  RCC_ClkInitStruct.ClockType = RCC_CLOCKTYPE_HCLK|RCC_CLOCKTYPE_SYSCLK
                              |RCC_CLOCKTYPE_PCLK1|RCC_CLOCKTYPE_PCLK2;
  RCC_ClkInitStruct.SYSCLKSource = RCC_SYSCLKSOURCE_HSI;
  RCC_ClkInitStruct.AHBCLKDivider = RCC_SYSCLK_DIV1;
  RCC_ClkInitStruct.APB1CLKDivider = RCC_HCLK_DIV1;
  RCC_ClkInitStruct.APB2CLKDivider = RCC_HCLK_DIV1;

  if (HAL_RCC_ClockConfig(&RCC_ClkInitStruct, FLASH_LATENCY_0) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler();
  }
}

// GPIO初始化
void MX_GPIO_Init(void)
{
  __HAL_RCC_GPIOA_CLK_ENABLE();
  __HAL_RCC_GPIOB_CLK_ENABLE();

  GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct = {0};

  // PA5输出高电平，用于测试
  GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_5;
  GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_OUTPUT_PP;
  GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;
  GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_LOW;
  HAL_GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStruct);
  HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_5, GPIO_PIN_SET);
}

// FLASH初始化
void MX_FLASH_Init(void)
{
  HAL_FLASH_Unlock();
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGERR);
}

在以上代码中，我们通过定义`FLASH_USER_START_ADDR`和`FLASH_USER_END_ADDR`来确定Flash用户区的起始地址和结束地址。在本例中，我们使用了Flash扇区7。Flash扇区的起始地址在STM32F031F6P6的参考手册中可以找到。

在程序的主要逻辑中，我们首先使用`FLASH_Erase_Sector`函数对Flash扇区进行擦除，然后使用`HAL_FLASH_Program`函数将数据写入Flash。写入完成后，我们使用`*(__IO uint32_t*)flash_address`读取Flash中的数据。最后，我们将读取的数据与写入的数据进行比较，以确保Flash扇区的读写正确。

需要注意的是，在进行Flash写操作时，需要先调用`HAL_FLASH_Unlock`函数解锁Flash。在对Flash进行操作完成后，需要调用`HAL_FLASH_Lock`函数重新锁定Flash。

另外，如果Flash写入操作失败，可以通过`FLASH_FLAG_WRPERR`和`FLASH_FLAG_PGERR`标志位来判断。如果出现错误，需要进行错误处理。