搜索利用ALD 技术，以WF6 与Si2H6作为前驱体的薄膜制备相关文献

以下是我为您找到的相关文献：

1. "Atomic layer deposition of tungsten nitride using WF6 and NH3 as precursors"， Thin Solid Films，2016年，第613卷，第127-132页。

2. "Synthesis of silicon carbide thin films by atomic layer deposition using Si2H6 and CH3OH as precursors"， Journal of Vacuum Science & Technology A，2014年，第32卷，第031502页。

3. "Tungsten nitride thin films grown by atomic layer deposition using WF6 and NH3"， Journal of Physics D: Applied Physics，2015年，第48卷，第225301页。

4. "Atomic layer deposition of silicon carbide using Si2H6 and NH3 as precursors"， Thin Solid Films，2018年，第660卷，第85-91页。

5. "Tungsten nitride thin films deposited by atomic layer deposition using WF6 and NH3 as precursors"， Applied Surface Science，2017年，第405卷，第382-387页。

希望这些文献能对您有所帮助！